特許
J-GLOBAL ID：201503016295419218
金属汚染評価用シリコン基板の選別方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-020076
公開番号（公開出願番号）：特開2013-161821
特許番号：特許第5742739号
出願日： 2012年02月01日
公開日（公表日）： 2013年08月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 再結合ライフタイムの測定値を用いて熱処理炉の金属汚染を評価する際に用いる金属汚染評価用シリコン基板を選別する方法であって、
前記金属汚染評価用シリコン基板の候補となるシリコン基板を、シリコン単結晶インゴットから作製して準備する工程と、
前記候補となるシリコン基板に対し、Grown-in再結合中心を消滅させる熱処理を、熱処理温度を1000°C以上1200°C以下とし、熱処理時間を1分以上60分以下の範囲として行う工程と、
前記候補となるシリコン基板の表面に対して表面パシベーション処理を行う工程と、
前記熱処理及び表面パシベーション処理を行った後のシリコン基板の再結合ライフタイムを、マイクロ波光導電減衰法により測定する工程と、
前記測定により得られた測定値が所定の基準値以上である場合に、前記測定を行ったシリコン基板が金属汚染評価用シリコン基板として合格であると判定する工程と、
前記判定により合格と判定されたシリコン基板を作製した前記シリコン単結晶インゴットと同一のシリコン単結晶インゴットから作製したシリコン基板を前記金属汚染評価用シリコン基板として選別する工程と
を含むことを特徴とする金属汚染評価用シリコン基板の選別方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L 21/66 M
, H01L 21/66 Z
