特許
J-GLOBAL ID：201003021092935934

半導体ウェーハの製造方法、半導体ウェーハ、及び、半導体ウェーハの結晶評価方法

発明者：
加藤 健夫

加藤 健夫 について

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橋井 友裕

橋井 友裕 について

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村山 克彦

村山 克彦 について

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古屋田 栄

古屋田 栄 について

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高石 和成

高石 和成 について


出願人/特許権者：
株式会社SUMCO

株式会社SUMCO について


代理人 (1件)： 真田 有
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-160934
公開番号（公開出願番号）：特開2010-003842
出願日： 2008年06月19日
公開日（公表日）： 2010年01月07日
要約：
【課題】半導体ウェーハの結晶評価を行なうのに適した技術に関し、半導体ウェーハの製造を簡素化して、製造時間の短縮や製造コストの削減を促進することができるようにし、さらには、評価にかかる時間及びコストを低減することができるようにする。【解決手段】単結晶インゴットの結晶欠陥を評価するための評価用ウェーハを製造する、半導体ウェーハの製造方法において、単結晶インゴットからウェーハをスライスするスライス工程(S10)と、スライス工程(S10)でスライスされたウェーハを回転させ、回転状態のウェーハの表面にエッチング液を噴射してウェーハの表面をエッチングする枚葉エッチング工程(S20)とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
単結晶インゴットの品質評価を行なうための評価用ウェーハを製造する、半導体ウェーハの製造方法であって、 該単結晶インゴットから該ウェーハをスライスするスライス工程と、 該スライス工程でスライスされた該ウェーハを回転させ、回転状態の該ウェーハの表面にエッチング液を噴射して該ウェーハの表面をエッチングする枚葉エッチング工程とを備えた ことを特徴とする、半導体ウェーハの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/66 ,  H01L 21/306
FI (3件)：
H01L21/66 N ,  H01L21/306 M ,  H01L21/66 L
Fターム (22件)：
4M106AA01 ,  4M106AA07 ,  4M106AB17 ,  4M106BA12 ,  4M106CA10 ,  4M106CB03 ,  4M106CB11 ,  4M106CB19 ,  4M106DH55 ,  4M106DH57 ,  5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043DD07 ,  5F043DD13 ,  5F043DD16 ,  5F043EE07 ,  5F043EE08 ,  5F043EE10 ,  5F043EE12 ,  5F043EE28 ,  5F043EE40 ,  5F043GG10
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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