特許
J-GLOBAL ID:201503016720298305

パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 高松 猛 ,  尾澤 俊之 ,  長谷川 博道
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-091329
公開番号(公開出願番号):特開2013-011855
特許番号:特許第5707359号
出願日: 2012年04月12日
公開日(公表日): 2013年01月17日
請求項(抜粋):
【請求項1】(ア)酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位を有する樹脂(A)、 活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(B)、及び 溶剤(C) を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、 (イ)該膜をKrFエキシマレーザー、EUV光又は電子線により露光する工程、及び (ウ)該露光された膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程 を有するパターン形成方法であって、 樹脂(A)中の全繰り返し単位に対して、下記一般式(I)で表される繰り返し単位の含有量が20モル%未満であり、かつ樹脂(A)が、下記一般式(I)で表される繰り返し単位以外の非フェノール系芳香族基を有する繰り返し単位を有する、パターン形成方法。 上記一般式(I)中、 Xaは水素原子又はアルキル基を表す。 Rxは水素原子又は酸の作用により分解し脱離する基を表す。
IPC (5件):
G03F 7/039 ( 200 6.01) ,  G03F 7/038 ( 200 6.01) ,  G03F 7/32 ( 200 6.01) ,  H01L 21/027 ( 200 6.01) ,  C08F 220/18 ( 200 6.01)
FI (5件):
G03F 7/039 601 ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/32 ,  H01L 21/30 502 R ,  C08F 220/18
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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