パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：高松猛 , 矢澤清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-325915
公開番号（公開出願番号）：特開2008-292975
出願日： 2007年12月18日
公開日（公表日）： 2008年12月04日
要約：

【課題】IC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用される、高精度な微細パターンを安定的に形成する方法、該方法に用いられる樹脂組成物、該方法に用いられる現像液及び該方法に用いられるネガ現像用リンス液を提供する。【解決手段】(ア)基板上に、活性光線又は放射線の照射により、ポジ型現像液に対する溶解度が増大し、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する、ポジ型レジスト組成物を塗布する工程、(イ)露光工程、及び(エ)ネガ型現像液を用いて現像する工程を含むパターン形成方法、該方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該方法に用いられる現像液及び該方法に用いられるネガ現像用リンス液。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(ア)基板上に、活性光線又は放射線の照射により、ポジ型現像液に対する溶解度が増大し、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する、ポジ型レジスト組成物を塗布する工程、 (イ)露光工程、及び (エ)ネガ型現像液を用いて現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (5件)：

G03F 7/30 , G03F 7/038 , G03F 7/039 , G03F 7/32 , H01L 21/027

FI (6件)：

G03F7/30 , G03F7/038 601 , G03F7/039 601 , G03F7/32 , G03F7/32 501 , H01L21/30 569F

Fターム (30件)：

2H025AA02 , 2H025AB14 , 2H025AB16 , 2H025AB17 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD01 , 2H025AD03 , 2H025AD07 , 2H025BE07 , 2H025BF02 , 2H025BF15 , 2H025BG00 , 2H025CC04 , 2H025CC20 , 2H025DA34 , 2H025FA16 , 2H025FA17 , 2H096AA25 , 2H096AA27 , 2H096AA28 , 2H096BA11 , 2H096CA06 , 2H096EA05 , 2H096GA03 , 2H096GA09 , 2H096GA18 , 2H096JA08 , 5F046LA18 , 5F046LA19

引用特許：

出願人引用 (9件)

パターン形成方法、電子デバイス製造方法、及び電子デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-381798 出願人：株式会社ニコン
ポジ型フォトレジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-285762 出願人：富士写真フイルム株式会社
ネガ型感放射線性樹脂組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-262027 出願人：ジェイエスアール株式会社

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審査官引用 (6件)

パタ-ン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-001907 出願人：株式会社東芝
レジストパターン形成用処理液及びレジストパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-060541 出願人：ソマール株式会社
現像済みフォトレジスト層をすすぐための方法および蒸発性の溶液
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-572625 出願人：アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド

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