特許
J-GLOBAL ID：201503016855378686

正孔注入層および輸送層のための改善されたドーピング法

発明者：
セシャドリ ベンカタラマナン

セシャドリ ベンカタラマナン について

, 
チョプラ ニートゥ

チョプラ ニートゥ について


出願人/特許権者：
3533899 インコーポレーティッド

3533899 インコーポレーティッド について


代理人 (12件)： 清水 初志 ,  春名 雅夫 ,  山口 裕孝 ,  刑部 俊 ,  井上 隆一 ,  佐藤 利光 ,  新見 浩一 ,  小林 智彦 ,  渡邉 伸一 ,  大関 雅人 ,  五十嵐 義弘 ,  川本 和弥
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-534536
公開番号（公開出願番号）：特表2015-504446
出願日： 2012年10月03日
公開日（公表日）： 2015年02月12日
要約：
中性型の少なくとも1つの第一の化合物を少なくとも1つのイオンドーパントと第一の溶媒系中で組み合わせて、第一のドープされた反応生成物を提供する段階、固体型の第一のドープされた反応生成物を単離する段階、および、単離した第一のドープされた反応生成物を中性型の少なくとも1つの共役ポリマーと第二の溶媒系中で組み合わせて、共役ポリマーの酸化型、第一の化合物の中性型を含む第二のドープされた反応生成物を生成する段階を含む方法を開示する。長所には、より良い安定性、使用の容易さ、および低い金属含有量が含まれる。適用には、OLEDを含む有機電子デバイスが含まれる。
請求項（抜粋）：
以下の段階を含む方法: 中性型および酸化型を有する少なくとも1つの第一の化合物であって、分子量が1,000g/mol未満である第一の化合物を提供する段階; カチオンおよびアニオンを含む少なくとも1つのイオンドーパントを提供する段階; 中性型の少なくとも1つの第一の化合物を、少なくとも1つのカチオンおよび少なくとも1つのアニオンを含む少なくとも1つのイオンドーパントと、第一の溶媒系中で組み合わせる段階であって、第一のドープされた反応生成物を提供し、ここで組み合わせはカチオンの中性型を生じ、かつここで第一のドープされた反応生成物は第一の化合物の酸化型およびアニオンを含む、段階; 第一のドープされた反応生成物からカチオンの中性型を除去することを含む、固体型の第一のドープされた反応生成物を単離する段階; 中性型および酸化型を有する少なくとも1つの共役ポリマーを提供する段階; 中性型の該少なくとも1つの共役ポリマーと、単離した第一のドープされた反応生成物を、第二の溶媒系中で組み合わせる段階であって、共役ポリマーの酸化型およびアニオンを含む第二のドープされた反応生成物を生成する、段階;ここでドーピングは第一の化合物の中性型を生じる。
IPC (13件)：
C08L 65/00 ,  H01L 51/50 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  C09K 11/06 ,  C07D 209/82 ,  C07D 487/22 ,  C08K 5/18 ,  C08K 5/36 ,  C08F 26/06 ,  C08L 25/18 ,  H01L 51/46
FI (16件)：
C08L65/00 ,  H05B33/22 D ,  H05B33/14 A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 220A ,  C09K11/06 690 ,  C09K11/06 680 ,  C07D209/82 ,  C07D487/22 ,  C08K5/18 ,  C08K5/36 ,  C08F26/06 ,  C08L25/18 ,  H01L31/04 168 ,  H01L31/04 162
Fターム (59件)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC24 ,  3K107CC45 ,  3K107DD71 ,  3K107DD78 ,  3K107DD79 ,  3K107DD80 ,  3K107DD87 ,  3K107FF04 ,  3K107FF17 ,  3K107FF18 ,  3K107FF19 ,  3K107GG28 ,  4C050PA11 ,  4C204BB04 ,  4C204CB25 ,  4C204FB08 ,  4C204GB01 ,  4H006AA01 ,  4H006AB92 ,  4J002BC011 ,  4J002BC101 ,  4J002BC111 ,  4J002BC121 ,  4J002BJ001 ,  4J002CE001 ,  4J002EN046 ,  4J002EN056 ,  4J002EN076 ,  4J002EU046 ,  4J002EU116 ,  4J002EV006 ,  4J002EV306 ,  4J002EV326 ,  4J002EY016 ,  4J002FD116 ,  4J002GP00 ,  4J002GQ03 ,  4J002GQ05 ,  4J100AB04Q ,  4J100AB07Q ,  4J100AB08P ,  4J100BA03H ,  4J100BA15Q ,  4J100BA32P ,  4J100BA76Q ,  4J100BC43P ,  4J100BC49P ,  4J100CA04 ,  4J100HA08 ,  4J100JA32 ,  4J100JA45 ,  5F110EE01 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110GG58 ,  5F110QQ01 ,  5F151AA11
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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