特許
J-GLOBAL ID：201503017078236870
半導体ウェーハの加工方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
青木 宏義
, 天田 昌行
, 岡田 喜雅
, 菅野 亨
, 溝口 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-014134
公開番号（公開出願番号）：特開2015-142015
出願日： 2014年01月29日
公開日（公表日）： 2015年08月03日
要約：
【課題】ガラスパシベーション膜のレーザー光線透過による内部からの破壊を抑制してストリートに沿って分割溝を形成できるようにすること。【解決手段】半導体ウェーハ(W)では、半導体基板(W1)の表面に積層体(W2)が積層され、積層体によってデバイス(D)が形成される。デバイスは、ストリート(ST)によって区画される。デバイス及びストリートの表面にはガラスパシベーション膜(W3)が被覆されて形成されている。ガラスパシベーション膜に対して吸収性を有する波長のCO2レーザー光線(Lc)をストリートに沿って照射し、ストリートに沿って分断溝(M1)を形成するパシベーション膜分断溝形成工程を行う。その後、積層体に対して吸収性を有する波長のレーザー光線(Ly)を分断溝に沿って照射し、ストリートに沿って分割溝(M2)を形成する分割溝形成工程を行う。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面に積層された絶縁膜と機能膜とを含む積層体によって形成されたデバイスがストリートによって区画されるとともに、該デバイス及び該ストリートの表面にガラスパシベーション膜が被覆されて形成されている半導体ウェーハに、該ストリートに沿って分割溝を形成する半導体ウェーハの加工方法であって、
該ガラスパシベーション膜に対して吸収性を有する波長のCO2レーザー光線を該ガラスパシベーション膜側から該ストリートに沿って照射し、該ストリートに沿って該ガラスパシベーション膜を除去して分断溝を形成するパシベーション膜分断溝形成工程と、
該パシベーション膜分断溝形成工程が実施された後に、該積層体に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を該分断溝に沿って照射し、該ストリートに沿って該積層体を除去して分割溝を形成する分割溝形成工程と、を含む、ことを特徴とする半導体ウェーハの加工方法。
IPC (3件)：
H01L 21/301
, B23K 26/364
, B23K 26/00
H01L21/78 B
, B23K26/364
, B23K26/00 H
4E168AD01
, 4E168AD02
, 4E168AD18
, 4E168CA06
, 4E168CB03
, 4E168CB07
, 4E168CB18
, 4E168DA02
, 4E168DA04
, 4E168DA23
, 4E168DA24
, 4E168DA32
, 4E168DA40
, 4E168DA43
, 4E168HA01
, 4E168JA11
, 4E168JA12
, 4E168JA14
, 4E168JA27
, 5F063AA05
, 5F063AA36
, 5F063CB02
, 5F063CB06
, 5F063CB12
, 5F063CB16
, 5F063CB30
, 5F063CC23
, 5F063CC33
, 5F063DD26
, 5F063DD31
, 5F063DE02
, 5F063DE33
, 5F063DF19
, 5F063DF24
