特許
J-GLOBAL ID：201503017990596453

半導体装置

発明者：
加藤 清

加藤 清 について

, 
田所 麻美

田所 麻美 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-066082
公開番号（公開出願番号）：特開2013-137830
特許番号：特許第5799049号
出願日： 2013年03月27日
公開日（公表日）： 2013年07月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 アンテナと、 整流回路と、 抵抗と、 第1のトランジスタと、 第2のトランジスタと、 第3のトランジスタと、 第1のダイオードと、 前記第1のダイオードと直列接続する第2のダイオードと、を有し、 前記第1のダイオードは、第4のトランジスタのゲートとドレインとを導通させたものであり、 前記第2のダイオードは、第5のトランジスタのゲートとドレインとを導通させたものであり、 前記第1のトランジスタ乃至前記第5のトランジスタは、チャネル形成領域として絶縁膜上の半導体層を有し、 前記アンテナは第1の端子と第2の端子とを有し、 前記整流回路は前記第1の端子と電気的に接続され、かつ出力端子を有し、 前記出力端子は前記抵抗の一端と電気的に接続され、 前記出力端子は前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、 前記抵抗の他端は前記第1のダイオードの陽極と電気的に接続され、 前記抵抗の他端は前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続され、 前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、 前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、 前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第2の端子と電気的に接続され、 前記第2のダイオードの陰極は、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、 前記第2のダイオードの陰極は、前記第2の端子と電気的に接続され、 前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第2の端子と電気的に接続され、 前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は前記第1の端子と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
G06K 19/07 ( 200 6.01) ,  G06F 1/26 ( 200 6.01) ,  G06F 1/30 ( 200 6.01)
FI (3件)：
G06K 19/07 ,  G06F 1/26 ,  G06F 1/30
引用特許：
審査官引用 (2件)

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