特許
J-GLOBAL ID:201503018082281010

温度補償回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 溝井 章司 ,  渡辺 敏雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-173253
公開番号(公開出願番号):特開2015-041953
出願日: 2013年08月23日
公開日(公表日): 2015年03月02日
要約:
【課題】温度に関わらず一定の利得を得るために必要な電圧を半導体に印加できるようにすることを目的とする。【解決手段】温度補償回路6は、抵抗素子1と、正特性のサーミスタ2と、複数のダイオード3と、電源端子4と、バイアス端子5とを備える。抵抗素子1と複数のダイオード3とは直列に接続され、抵抗素子1の他端は電源端子4に接続され、複数のダイオード3の他端は接地されている。バイアス端子5は抵抗素子1と複数のダイオード3との接続部に接続されている。そして、正特性のサーミスタ2は複数のダイオード3に並列に接続されている。【選択図】図1
請求項(抜粋):
抵抗素子と、温度が上がるほど抵抗値が小さくなる負特性の抵抗体と、温度が上がるほど抵抗値が大きくなる正特性の抵抗体と、電源に接続される電源端子と、温度の変化に伴って利得が変化する半導体に電圧を印加するための電圧端子とを備え、 前記抵抗素子と前記負特性の抵抗体とが直列に接続され、 前記抵抗素子の端部のうち前記負特性の抵抗体に接続されていない側の端部が前記電源端子に接続され、 前記負特性の抵抗体の端部のうち前記抵抗素子に接続されていない側の端部が接地され、 前記電圧端子が前記抵抗素子と前記負特性の抵抗体との接続部に接続され、 前記正特性の抵抗体が前記負特性の抵抗体に並列に接続された ことを特徴とする温度補償回路。
IPC (2件):
H03F 1/30 ,  H03F 3/193
FI (2件):
H03F1/30 A ,  H03F3/193
Fターム (15件):
5J500AA01 ,  5J500AA04 ,  5J500AC02 ,  5J500AF10 ,  5J500AH09 ,  5J500AH19 ,  5J500AH25 ,  5J500AH43 ,  5J500AK12 ,  5J500AS13 ,  5J500AT01 ,  5J500AT04 ,  5J500NC01 ,  5J500NF06 ,  5J500NF07
引用特許:
出願人引用 (2件)
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-032739   出願人:三菱電機株式会社
  • 特開平4-252606
審査官引用 (2件)
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-032739   出願人:三菱電機株式会社
  • 特開平4-252606

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