特許
J-GLOBAL ID：201503018101849376
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
速水 進治
, 天城 聡
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-073760
公開番号（公開出願番号）：特開2013-207059
特許番号：特許第5829562号
出願日： 2012年03月28日
公開日（公表日）： 2013年10月07日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 磁気記憶型素子を有する半導体チップと、
前記半導体チップのうち前記磁気記憶型素子が設けられている領域を覆う磁気シールド部材と、
を備え、
前記磁気シールド部材は、
前記半導体チップの第1面に対向する第1の対向領域を有する第1シールド部材と、
前記半導体チップの前記第1面とは逆側の面である第2面に対向する第2の対向領域を有する第2シールド部材と、
一部が前記第1シールド部材に接していて他の部分が前記第2シールド部材に接している樹脂層と、
前記半導体チップを封止する封止樹脂と、
を備え、
前記封止樹脂及び前記樹脂層は、フィラーを含有しており、
前記樹脂層の前記フィラーの平均粒子径は、前記封止樹脂の前記フィラーの平均粒子径よりも小さい半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/8246 ( 200 6.01)
, H01L 27/105 ( 200 6.01)
, H01L 43/08 ( 200 6.01)
, H01L 29/82 ( 200 6.01)
, H01L 23/00 ( 200 6.01)
H01L 27/10 447
, H01L 43/08 Z
, H01L 29/82 Z
, H01L 23/00 C
