特許
J-GLOBAL ID：201503018357065185
生体分子計測装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-209073
公開番号（公開出願番号）：特開2015-072240
出願日： 2013年10月04日
公開日（公表日）： 2015年04月16日
要約：
【課題】高感度な生体分子計測装置を提供する。【解決手段】生体分子計測装置には、生体分子試料と試薬との反応により発生するイオンを検知する半導体センサが設置される。半導体センサは、半導体基板に、配置され、イオンを検知する複数のセルと、複数の読み出し線とを有する。複数のセルのそれぞれは、フローティングゲートを有し、イオンを検知するISFETと、ISFETの出力を増幅する第1のMOSFETM2と、第1のMOSFETの出力を、対応する読み出し線R1に、選択的に伝達する第2のMOSFETM3とを含む。複数のセルのそれぞれは、ISFETにおいてホットエレクトロンを発生させ、電荷をISFETのフローティングゲートに注入させる第3のMOSFETM1を具備する。ここで、第2のMOSFETと第3のMOSFETとは、別々に制御される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
生体分子試料と試薬との反応により発生するイオンを検知する半導体センサが設置される生体分子計測装置であって、
前記半導体センサは、
半導体基板と、
前記半導体基板において、アレイ状に配置され、それぞれがイオンを検知する複数のセルと、
前記複数のセルによるアレイに配置された複数の読み出し線と、
を具備し、
前記複数のセルのそれぞれは、
フローティングゲートを有し、イオンの濃度の変化を検知するISFETと、
前記ISFETの出力を受けるゲートを有し、前記ISFETの出力を増幅する第1のMOSFETと、
前記第1のMOSFETの出力を、前記複数の読み出し線の内の対応する読み出し線に、選択的に伝達する第2のMOSFETと、
前記ISFETに接続され、前記ISFETにおいてホットエレクトロンを発生させ、電荷を前記ISFETのフローティングゲートに注入させる第3のMOSFETと、
を具備し、
前記第2のMOSFETと前記第3のMOSFETとが、別々に制御される、生体分子計測装置。
IPC (1件)：
FI (4件)：
G01N27/30 301X
, G01N27/30 301P
, G01N27/30 301R
, G01N27/30 301U
