特許
J-GLOBAL ID:201503018702730766

成膜装置及び治具

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人ネクスト
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-181391
公開番号(公開出願番号):特開2015-048510
出願日: 2013年09月02日
公開日(公表日): 2015年03月16日
要約:
【課題】成膜中における被加工材料の表面温度を、放射温度計を用いて低誤差で測定することが可能となる成膜装置及び治具を提供する。【解決手段】導電性を有する被加工材料の処理表面に沿うシース層を拡大させる負のバイアス電圧を被加工材料に印加させる負電極部材と、被加工材料の処理表面に沿ってプラズマを生成させるためのマイクロ波を拡大されたシース層へ伝搬させるマイクロ波供給口と、マイクロ波供給口と負電極部材との少なくとも一方と、被加工材料との間に配置されて、被加工材料に取り付けられる治具と、放射温度計と、を備え、被加工材料に取り付けられる治具のうち、少なくとも一の治具は、放射温度計によって測定される温度測定領域を有し、放射温度計によって測定される温度測定領域の測定面は、被加工材料の処理表面に成膜される皮膜の放射率、又は前記皮膜の放射率と同等の放射率を有するように構成する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
導電性を有する被加工材料を内部に配置可能な処理容器と、 前記処理容器に原料ガスと不活性ガスとを供給するガス供給部と、 前記被加工材料の処理表面に沿ってプラズマを生成させるためのマイクロ波を供給するマイクロ波供給部と、 前記被加工材料の処理表面に沿うシース層を拡大させる負のバイアス電圧を前記被加工材料に印加する負電圧印加部と、 前記マイクロ波供給部から供給されるマイクロ波を拡大された前記シース層へ伝搬させるマイクロ波供給口と、 前記負電圧印加部によって印加される負のバイアス電圧を前記被加工材料に印加させる負電極部材と、 前記マイクロ波供給口と前記負電極部材との少なくとも一方と、前記被加工材料との間に配置されて、前記被加工材料に取り付けられる治具と、 前記処理容器に設けられた窓部の外側に配置された放射温度計と、 を備え、 前記被加工材料に取り付けられる前記治具のうち、少なくとも一の前記治具は、前記放射温度計によって測定される温度測定領域を有し、 前記放射温度計によって測定される前記温度測定領域の測定面は、前記被加工材料の処理表面に成膜される皮膜の放射率、又は前記皮膜の放射率と同等の放射率を有することを特徴とする成膜装置。
IPC (6件):
C23C 16/511 ,  G01J 5/00 ,  H05H 1/46 ,  H05H 1/00 ,  C23C 16/27 ,  C01B 31/02
FI (6件):
C23C16/511 ,  G01J5/00 B ,  H05H1/46 B ,  H05H1/00 A ,  C23C16/27 ,  C01B31/02 101Z
Fターム (37件):
2G066AB08 ,  2G066AC11 ,  2G066BC21 ,  2G066CA14 ,  4G146AA05 ,  4G146AB07 ,  4G146AC01B ,  4G146AC30B ,  4G146AD26 ,  4G146BA12 ,  4G146BC09 ,  4G146BC16 ,  4G146BC19 ,  4G146BC23 ,  4G146DA02 ,  4G146DA16 ,  4G146DA47 ,  4K030AA09 ,  4K030AA11 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030BA28 ,  4K030BB05 ,  4K030CA02 ,  4K030CA05 ,  4K030CA07 ,  4K030EA03 ,  4K030FA01 ,  4K030GA02 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  4K030KA09 ,  4K030KA20 ,  4K030KA30 ,  4K030KA39 ,  4K030KA45 ,  4K030LA21
引用特許:
審査官引用 (2件)

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