原子層蒸着装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人ゆうあい特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-136998
公開番号（公開出願番号）：特開2014-001424
特許番号：特許第5772736号
出願日： 2012年06月18日
公開日（公表日）： 2014年01月09日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板(30)の上に、所望位置が開口部とされたマスク(31)を配置し、前記基板のうち前記マスクの開口部から露出した部分に原子層蒸着法によって薄膜層を成膜する原子層蒸着装置であって、上部ベース(12)と下部ベース(13)とを有し、該上部ベースと下部ベースとが組み合わさることによって構成されると共に前記原子層蒸着法によって薄膜層の成膜を行う反応チャンバ(11)が収容される第1チャンバ(1)と、前記第1チャンバに併設されていると共に該第1チャンバと繋がっており、前記マスクを前記基板上に配置してアライメント調整を行うアライメント調整機構(21)が備えられた第2チャンバ(2)と、前記下部ベースを前記第2チャンバから前記第1チャンバに移動させる移動制御部(4)と、を備え、前記下部ベースを前記基板および前記マスクのフォルダとして、前記第2チャンバ内に前記下部ベースを配置しているときに前記基板上に前記マスクを配置してアライメント調整を行い、前記移動制御部にて前記下部ベースを前記基板および前記マスクと共に前記第1チャンバに移動させ、前記下部ベースと前記上部ベースとを組み合わせることで前記反応チャンバを構成することを特徴とする原子層蒸着装置。

IPC (5件)：

C23C 16/04 ( 200 6.01) , C23C 16/44 ( 200 6.01) , C23C 16/455 ( 200 6.01) , H05B 33/10 ( 200 6.01) , H01L 51/50 ( 200 6.01)

FI (5件)：

C23C 16/04 , C23C 16/44 F , C23C 16/455 , H05B 33/10 , H05B 33/14 A

引用特許：

出願人引用 (8件)

薄膜製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-137175 出願人：エイエスエムマイクロケミストリオーワイ
バッチ式処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-095009 出願人：東京エレクトロン株式会社
コンビナトリアルデバイス作製装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-213274 出願人：科学技術振興事業団

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