特許
J-GLOBAL ID：201503019407319776

磁気センサ

発明者：
矢野 敏史

矢野 敏史 について

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青 建一

青 建一 について

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古市 喬干

古市 喬干 について

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安藤 康夫

安藤 康夫 について

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大兼 幹彦

大兼 幹彦 について

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中野 貴文

中野 貴文 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について

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国立大学法人東北大学

国立大学法人東北大学 について


代理人 (1件)： 特許業務法人ゆうあい特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-035811
公開番号（公開出願番号）：特開2015-162515
出願日： 2014年02月26日
公開日（公表日）： 2015年09月07日
要約：
【課題】磁気センサ1において、外部磁界の検出磁界範囲として、広い検出磁界範囲を設定する。【解決手段】磁気センサ1は、外部磁場に対して磁化方向が固定されているピン層20と、外部磁場によって磁化方向が変化するフリー層40と、ピン層20とフリー層40との間に挟まれてピン層20の磁化方向とフリー層40の磁化方向との間の角度によって抵抗値が変化する中間層30と、を備える。フリー層40は、単位面積当たりの磁化量が0.2[memu/cm2]未満になっている。このため、磁気センサ1において、外部磁界の検出磁界範囲として、300[mT]以上の広い検出磁界範囲を設定できる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
薄膜状に形成されて、その面内方向に平行である方向に磁化方向が固定されている磁化固定層(20)と、 外部磁場によって磁化方向が変化する磁界検出層(40)と、 前記磁化固定層と前記磁界検出層との間に配置されて、前記磁化固定層の磁化方向と前記磁界検出層の磁化方向との間の角度によって抵抗値が変化する中間層(30)と、を備え、 前記磁界検出層は、単位面積当たりの磁化量が0.2[memu/cm2]未満になっていることを特徴とする磁気抵抗素子。
IPC (3件)：
H01L 43/08 ,  H01L 43/10 ,  G01R 33/09
FI (3件)：
H01L43/08 M ,  G01R33/06 R ,  H01L43/08 Z
Fターム (25件)：
2G017AA02 ,  2G017AA10 ,  2G017AD55 ,  2G017AD61 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  2G017CC04 ,  5F092AA01 ,  5F092AB01 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD05 ,  5F092AD08 ,  5F092AD23 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB31 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB53 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)
引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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