特許
J-GLOBAL ID：200903066149365520
磁気検出素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野▲崎▼ 照夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-094031
公開番号（公開出願番号）：特開2003-298139
出願日： 2002年03月29日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：
【要約】【課題】 狭トラック化においても適切にフリー磁性層の磁化制御を行うことができ、再生特性に優れた磁気検出素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 フリー磁性層28の磁性材料層30に、NiaFeb(ただし、a,bはat%で、a>80at%、a+b=100at%の関係を満足するものである)からなるNiFe層、NiFeX層(ただしXはMn,Cu,Zn,Ti,Al,Ge,Si,Cr,V,Sn,Ir,Ru,Nb,Sb,W,Mo,Os,Taから選ばれる1種または2種以上の元素である)など、交換スティフネス定数の小さい磁性材料からなる層を用いることにより、フリー磁性層28の中央部における磁化方向の変化を容易にし、磁界検出出力を向上させる。
請求項（抜粋）：
第1反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層、フリー磁性層の順に積層された多層膜を有する磁気検出素子において、前記フリー磁性層のトラック幅方向の少なくとも両側端部に重ねられて、トラック幅方向に間隔をあけて形成された一対の第2反強磁性層が設けられ、前記フリー磁性層はNiaFeb(ただし、a,bはat%で、a>80at%、a+b=100at%)の関係を満足するものである。)からなるNiFe層、NiFeX層(ただしXはMn,Cu,Zn,Ti,Al,Ge,Si,Cr,V,Sn,Ir,Ru,Nb,Sb,W,Mo,Os,Taから選ばれる1種または2種以上の元素である)、非晶質Co系磁性材料からなる非晶質Co合金層、CoFeX層(ただしXはTi,Al,Mn,Si,V,Cr,Ta,Zn,Sb,Ge,Mo,Wから選ばれる1種または2種以上の元素である)のうち少なくとも1つを有することを特徴とする磁気検出素子。
IPC (4件)：
H01L 43/08
, G11B 5/39
, H01F 10/13
, H01F 10/16
H01L 43/08 M
, H01L 43/08 P
, H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01F 10/13
, H01F 10/16
5D034BA02
, 5D034BA03
, 5D034BA04
, 5D034BA05
, 5D034BA11
, 5D034CA04
, 5D034CA08
, 5E049AA04
, 5E049AA07
, 5E049AC01
, 5E049BA16
