特許
J-GLOBAL ID：201503019943109570

半導体装置及びその製造方法

発明者：
前川 繁登

前川 繁登 について

, 
一法師 隆志

一法師 隆志 について


出願人/特許権者：
ルネサスエレクトロニクス株式会社

ルネサスエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (2件)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-105298
公開番号（公開出願番号）：特開2012-182478
特許番号：特許第5657601号
出願日： 2012年05月02日
公開日（公表日）： 2012年09月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成された埋め込み絶縁層と、前記埋め込み絶縁層上に形成された半導体層とを備えるSOI構造の半導体装置であって、 前記半導体層は、第1導電型のボディ領域、第2導電型のソース領域及び第2導電型のドレイン領域を有し、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の前記ボディ領域上にゲート酸化膜を介してゲート電極が形成され、 前記ソース領域は、第2導電型のエクステンション層と、前記エクステンション層に接するように前記半導体層上に形成されるシリサイド層とを備え、前記ドレイン領域の底部は、前記埋め込み絶縁層に接し、前記ソース領域の底部と前記埋め込み絶縁層との間に前記ボディ領域を残し、前記シリサイド層が前記半導体層に形成され、前記埋め込み絶縁層に到達する第1導電型の拡散層を介して前記ボディ領域に接続されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8244 ( 200 6.01) ,  H01L 27/11 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01) ,  H01L 29/417 ( 200 6.01)
FI (6件)：
H01L 29/78 626 B ,  H01L 29/78 616 V ,  H01L 29/78 616 K ,  H01L 27/10 381 ,  H01L 21/28 301 S ,  H01L 29/50 M
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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