特許

J-GLOBAL ID：201503019988069244

半導体装置およびその製造方法

発明者： 都甲 薫 ,  末益 崇
出願人/特許権者： 国立大学法人 筑波大学
代理人 (2件)： 片山 修平 ,  横山 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-002023
公開番号（公開出願番号）：特開2015-130451
出願日： 2014年01月08日
公開日（公表日）： 2015年07月16日
要約：

【課題】低コストで、結晶性の良好な半導体層をプラスチック基板上に形成すること。【解決手段】プラスチック基板10上に形成された下地膜12と、前記下地膜上に金属触媒誘起成長法を用い形成された半導体層14と、を具備する半導体装置。プラスチック基板10上に下地膜12を形成する工程と、前記下地膜上に半導体を含む層18を形成する工程と、前記半導体を含む層上に金属層15を形成する工程と、前記下地膜上に、金属触媒誘起成長法を用い、前記半導体を主に含む半導体層14を形成する工程と、を含む半導体装置の製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

プラスチック基板上に形成された下地膜と、 前記下地膜上に金属触媒誘起成長法を用い形成された半導体層と、 を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

H01L21/20 ,  H01L29/78 627G ,  H01L31/04 X

Fターム (44件)：

5F110AA17 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD11 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG13 ,  5F110GG17 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ15 ,  5F110PP01 ,  5F110PP10 ,  5F110PP34 ,  5F151AA03 ,  5F151AA08 ,  5F151BA11 ,  5F151CB08 ,  5F151CB12 ,  5F151CB15 ,  5F151CB21 ,  5F151CB24 ,  5F151DA03 ,  5F151DA17 ,  5F151FA02 ,  5F151FA04 ,  5F151FA13 ,  5F151FA15 ,  5F151GA05 ,  5F152AA06 ,  5F152AA07 ,  5F152BB09 ,  5F152CC04 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CD16 ,  5F152CD17 ,  5F152CD18 ,  5F152CE05 ,  5F152CE06 ,  5F152CE24 ,  5F152DD05 ,  5F152FF21