特許
J-GLOBAL ID:201503020308037287

結晶太陽電池セルおよび結晶太陽電池セルの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人深見特許事務所
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-245257
公開番号(公開出願番号):特開2013-030815
特許番号:特許第5781488号
出願日: 2012年11月07日
公開日(公表日): 2013年02月07日
請求項(抜粋):
【請求項1】 半導体基板と、 前記半導体基板の表面であって、受光面とは反対側の裏面に設けられた不純物拡散領域と、 前記半導体基板の前記裏面上に設けられたパッシベーション膜と、 前記パッシベーション膜を貫通して前記不純物拡散領域に接続された焼成電極とを備え、 前記半導体基板の前記受光面には光取り込みのための光取り込み構造が設けられ、前記半導体基板の前記裏面には前記受光面のような光取り込み構造が設けられておらず、 前記パッシベーション膜に前記不純物拡散領域まで達しない凹部が設けられ、該凹部が前記焼成電極により覆われている、結晶太陽電池セル。
IPC (2件):
H01L 31/0224 ( 200 6.01) ,  H01L 31/18 ( 200 6.01)
FI (2件):
H01L 31/04 262 ,  H01L 31/04 400
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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