特許
J-GLOBAL ID：201503020777416671

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者：
橋本 隆希

橋本 隆希 について

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甲斐 康伸

甲斐 康伸 について

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小谷 敏也

小谷 敏也 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-036187
公開番号（公開出願番号）：特開2013-172070
特許番号：特許第5738786号
出願日： 2012年02月22日
公開日（公表日）： 2013年09月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 配線方向に対する直交方向に配線ピッチ分づつ3段階に渡ってずらされた複数のライン状の第1のマスクパターンが転写された芯材パターンを被加工層上に形成する工程と、 前記芯材パターンの両側の側壁に第1の側壁パターンを形成する工程と、 前記被加工層上に前記第1の側壁パターンを残したまま前記芯材パターンを除去する工程と、 前記第1の側壁パターン間のスペースを隔てて対向する側壁間において、前記第1の側壁パターンの折れ曲がり部分で接触するようにして、前記第1の側壁パターンの両側の側壁に第2の側壁パターンを形成することにより、前記第2の側壁パターンで囲まれた第1の開口部を形成する工程と、 前記第1の開口部が露出されるようにして前記第2の側壁パターン間の隙間を覆う第2のマスクパターンを形成する工程と、 前記第1および前記第2の側壁パターンから露出された前記被加工層を加工することにより、前記被加工層に第2の開口部を形成する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (7件)：
H01L 21/768 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8247 ( 200 6.01) ,  H01L 27/115 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/788 ( 200 6.01) ,  H01L 29/792 ( 200 6.01)
FI (4件)：
H01L 21/90 A ,  H01L 21/28 L ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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