特許
J-GLOBAL ID：201503021012185392
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-273197
公開番号（公開出願番号）：特開2014-060460
特許番号：特許第5755722号
出願日： 2013年12月27日
公開日（公表日）： 2014年04月03日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1導電型の炭化珪素基板と、
前記炭化珪素基板上に形成され、第1不純物濃度を有する前記第1導電型のドリフト層と、
前記ドリフト層内の表面に所定の間隔で形成された、前記第1導電型と反対の第2導電型を有する複数の第1半導体領域と、
前記ドリフト層とショットキー接続するショットキー電極と、
前記炭化珪素基板の裏面とオーミック接続するオーミック電極と、
前記第1半導体領域と前記炭化珪素基板との間の領域に、前記第1不純物濃度より高い第2不純物濃度を有する、前記第1導電型の第2半導体領域と、
前記ドリフト層内で隣り合う前記第1半導体領域の間の領域に、前記第1不純物濃度より高くかつ前記第2不純物濃度より低い第3不純物濃度を有する前記第1電導型の第3半導体領域と、
を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/47 ( 200 6.01)
, H01L 29/872 ( 200 6.01)
H01L 29/48 F
, H01L 29/48 D
