特許
J-GLOBAL ID：201503021231146806
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-095280
公開番号（公開出願番号）：特開2012-235106
特許番号：特許第5727963号
出願日： 2012年04月19日
公開日（公表日）： 2012年11月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 絶縁層と、酸化物半導体膜と、を有し、
前記絶縁層は、複数のトレンチを有し、
前記トレンチは、下端に曲面を有する領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、チャネル形成領域を有し、
前記チャネル形成領域は、前記絶縁層の曲面に接する第1の領域を有し、
前記第1の領域は、前記絶縁層の曲面に概略垂直なc軸を有する結晶を有し、
前記結晶は、前記絶縁層の曲面に沿った層状構造を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
H01L 29/78 626 C
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 617 S
, H01L 29/78 618 C
, H01L 29/78 617 K
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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