特許
J-GLOBAL ID：201503021456261265

高勾配磁場を使用する粒子選別法

発明者：
スミス カイル シー.

スミス カイル シー. について

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ハグーイ ラミン

ハグーイ ラミン について

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バーバー トーマス アラン

バーバー トーマス アラン について

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オズクマール イスマイル エムレ

オズクマール イスマイル エムレ について

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カプール ラビ

カプール ラビ について

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トナー メフメット

トナー メフメット について


出願人/特許権者：
ザ ジェネラル ホスピタル コーポレイション

ザ ジェネラル ホスピタル コーポレイション について


代理人 (11件)： 清水 初志 ,  春名 雅夫 ,  山口 裕孝 ,  刑部 俊 ,  井上 隆一 ,  佐藤 利光 ,  新見 浩一 ,  小林 智彦 ,  大関 雅人 ,  五十嵐 義弘 ,  川本 和弥
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-520411
公開番号（公開出願番号）：特表2015-529544
出願日： 2013年06月25日
公開日（公表日）： 2015年10月08日
要約：
本開示は、各磁石が磁場を放出するように作動可能である1つまたは複数の磁石と、該1つまたは複数の磁石に隣接する磁化可能層であって、少なくとも1つの該磁石の磁場中に勾配を誘導するように構成されている、磁化可能層とを含む、マイクロ流体デバイスを記載する。たとえば、勾配は、磁化可能層の表面から少なくとも20μm離れた位置で少なくとも103T/mであることができる。磁化可能層は、第一の高透磁率材料および該高透磁率材料に隣接して配置された低透磁率材料を含む。デバイスはまた、磁化可能層の表面に配置されたマイクロ流体チャネルも含み、マイクロ流体チャネルの中心縦軸は、高透磁率材料と低透磁率材料との間の境界面に対して角度をなして配置されているか、または該境界面から横方向にオフセットされている。
請求項（抜粋）：
各磁石が磁場を放出するように作動可能である1つまたは複数の磁石と、 該1つまたは複数の磁石に隣接して配置された磁化可能層であって、少なくとも1つの磁石の磁場中に、該磁化可能層の表面から少なくとも20μm離れた位置で少なくとも103T/mである勾配を誘導するように構成されており、 第一の高透磁率材料、および 該高透磁率材料に隣接して配置されたかまたは少なくとも部分的に接する、低透磁率材料 を含む、磁化可能層と、 該磁化可能層の表面に配置されたマイクロ流体チャネルであって、該マイクロ流体チャネルの中心縦軸が該高透磁率材料と該低透磁率材料との間の境界面に対して角度をなして配置されているかまたは該境界面から横方向にオフセットされている、マイクロ流体チャネルと を含む、マイクロ流体デバイス。
IPC (7件)：
B01J 19/00 ,  G01N 37/00 ,  G01N 1/04 ,  B03C 1/00 ,  B03C 1/02 ,  C12M 1/26 ,  C12N 1/00
FI (7件)：
B01J19/00 321 ,  G01N37/00 101 ,  G01N1/04 H ,  B03C1/00 B ,  B03C1/02 Z ,  C12M1/26 ,  C12N1/00 T
Fターム (27件)：
2G052AA28 ,  2G052BA24 ,  2G052DA09 ,  4B029AA09 ,  4B029BB11 ,  4B029CC13 ,  4B029FA05 ,  4B029HA02 ,  4B029HA05 ,  4B065AA90X ,  4B065BA22 ,  4B065CA46 ,  4G075AA27 ,  4G075AA39 ,  4G075BB05 ,  4G075BD05 ,  4G075CA42 ,  4G075DA02 ,  4G075DA18 ,  4G075EA02 ,  4G075EB50 ,  4G075FA01 ,  4G075FA12 ,  4G075FB02 ,  4G075FB06 ,  4G075FB12 ,  4G075FC20
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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