特許
J-GLOBAL ID：201503022395146218

グラフェン層の転写方法

発明者：
セドリック・ハイヘバールト

セドリック・ハイヘバールト について

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フィリップ・エム・フェレーケン

フィリップ・エム・フェレーケン について

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ジェフリー・プルトワ

ジェフリー・プルトワ について


出願人/特許権者：
アイメック・ヴェーゼットウェー

アイメック・ヴェーゼットウェー について


代理人 (3件)： 山田 卓二 ,  田中 光雄 ,  竹内 三喜夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-179919
公開番号（公開出願番号）：特開2015-061810
出願日： 2014年09月04日
公開日（公表日）： 2015年04月02日
要約：
【課題】グラフェン層を金属基板から第2基板へ転写するための良好な方法を提供する。【解決手段】グラフェン層(1)を金属基板(2)から第2基板(3,10)へ転写する方法であって、a.グラフェン層(1)を前記金属基板(2)の上に設けるステップと、b.プロトンを前記グラフェン層(1)に通過させることによって、水素原子を前記金属基板(2)の上に吸着させるステップと、c.吸着した水素原子を有する前記金属基板(2)を処理して、前記吸着した水素原子から水素ガスを形成するようにし、これにより前記グラフェン層(1)を前記金属基板(2)から取り外すステップと、d.前記グラフェン層(1)を前記第2基板(3,10)へ転写するステップと、e.必要に応じて、後続のステップaにおいて前記金属基板(2)を再利用するステップと、を含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
グラフェン層(1)を金属基板(2)から第2基板(3,10)へ転写する方法であって、 a.グラフェン層(1)を前記金属基板(2)の上に設けるステップと、 b.プロトンを前記グラフェン層(1)に通過させることによって、水素原子を前記金属基板(2)の上に吸着させるステップと、 c.吸着した水素原子を有する前記金属基板(2)を処理して、前記吸着した水素原子から水素ガスを形成するようにし、これにより前記グラフェン層(1)を前記金属基板(2)から取り外すステップと、 d.前記グラフェン層(1)を前記第2基板(3,10)へ転写するステップと、 e.必要に応じて、後続のステップaにおいて前記金属基板(2)を再利用するステップと、を含む方法。
IPC (1件)：
C01B 31/02
FI (1件)：
C01B31/02 101Z
Fターム (11件)：
4G146AA01 ,  4G146AB07 ,  4G146AD28 ,  4G146BC09 ,  4G146CB03 ,  4G146CB11 ,  4G146CB12 ,  4G146CB13 ,  4G146CB29 ,  4G146CB31 ,  4G146CB37
引用特許：
審査官引用 (1件)
引用文献：
審査官引用 (6件)
  • Repeated growth and bubbling transfer of graphene with millimetre-size single-crystal grains using p
  • Frame assisted H2O electrolysis induced H2 bubbling transfer of large area graphene grown by chemica
  • Electrochemical Delamination of CVD-Grown Graphene Film:Toward the Recyclable Use of Copper Catalyst
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