特許
J-GLOBAL ID：200903076111113515

グラフェン基板及びその製造方法

発明者：
大島 久純

大島 久純 について

, 
光岡 義仁

光岡 義仁 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (2件)： 矢作 和行 ,  野々部 泰平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-039263
公開番号（公開出願番号）：特開2009-200177
出願日： 2008年02月20日
公開日（公表日）： 2009年09月03日
要約：
【課題】支持基板としてシリコンカーバイド基板を用いることなくウェハサイズのグラフェンを有するグラフェン基板を提供すること及びその製造方法を提供すること。【解決手段】SiC基板30を熱処理することによってSiC基板30の表面にグラフェン31を形成し、そのグラフェン31上にアモルファスシリコン20を形成する。このアモルファスシリコン20を介してSiC基板30にSi基板10を貼り合わせる。そして、この貼り合わされたSiC基板30とSi基板10からSiC基板30を剥離する。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
グラフェンと、 前記グラフェンを支持する支持基板と、 前記グラフェンと前記支持基板とを接着する接着層と、 を備えることを特徴とするグラフェン基板。
IPC (3件)：
H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  C01B 31/02
FI (2件)：
H01L27/12 B ,  C01B31/02 101F
Fターム (6件)：
4G146AA07 ,  4G146AB07 ,  4G146AD30 ,  4G146BA08 ,  4G146BC27 ,  4G146BC34B
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • グラフェン集積回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-163856   出願人：国立大学法人北海道大学
審査官引用 (4件)
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