特許
J-GLOBAL ID:201503022761057827
積層薄膜キャパシタの製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
梁瀬 右司
, 振角 正一
, 丸山 陽介
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-201882
公開番号(公開出願番号):特開2015-070058
出願日: 2013年09月27日
公開日(公表日): 2015年04月13日
要約:
【課題】キャパシタ素子の容量の増大を図ることができると共に、キャパシタ素子の構造上の設計自由度を向上することができ、キャパシタ素子の容量調整を容易に行うことができる積層薄膜キャパシタの製造方法を提供する。【解決手段】キャパシタ素子6の外周部が1回のエッチング加工により所定形状に成形されるので、キャパシタ素子6の外周部の平面視形状を所定形状に加工するのに使用される露光マスクにアライメントマージンを確保する必要がない。したがって、電極層4の面積を大きく形成することができるので、キャパシタ素子6の容量の増大を図ることができ、キャパシタ素子6の構造上の設計自由度を向上することができる。また、外形加工工程において使用される露光マスクを設計変更するだけで、キャパシタ素子6の外形寸法を容易に調整することができるので、キャパシタ素子6の容量調整を容易に行うことができる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基板上に電極層および誘電体層が交互に積層されてなるキャパシタ素子に、フォトリソグラフィによるレジストパターンの形成およびエッチング加工を繰り返し施して積層方向にビア孔を形成するビア孔形成工程と、
フォトリソグラフィによりレジストパターンを形成して1回のエッチング加工により前記キャパシタ素子の外周部を所定形状に成形する外形加工工程と
を備えることを特徴とする積層薄膜キャパシタの製造方法。
IPC (3件):
H01G 4/12
, H01G 4/30
, H01G 4/33
FI (4件):
H01G4/12 400
, H01G4/12 364
, H01G4/30 311E
, H01G4/06 102
Fターム (25件):
5E001AB03
, 5E001AC04
, 5E001AD04
, 5E001AE01
, 5E001AE02
, 5E001AE03
, 5E001AF03
, 5E001AJ03
, 5E082AB03
, 5E082BC11
, 5E082BC40
, 5E082EE05
, 5E082EE18
, 5E082EE23
, 5E082EE37
, 5E082FF05
, 5E082FG03
, 5E082FG26
, 5E082FG46
, 5E082GG10
, 5E082GG11
, 5E082JJ05
, 5E082KK01
, 5E082LL02
, 5E082PP08
引用特許:
審査官引用 (1件)
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薄膜キャパシタ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2005-270704
出願人:株式会社村田製作所
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