特許
J-GLOBAL ID：200903081989180717
薄膜キャパシタ
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-270704
公開番号（公開出願番号）：特開2007-081325
出願日： 2005年09月16日
公開日（公表日）： 2007年03月29日
要約：
【課題】 アンダーバンプメタルの自己応力によってキャパシタ部を覆う保護層にクラックが生ずることを抑制した薄膜キャパシタを提供する。【解決手段】 基板と、キャパシタ部と、前記キャパシタ部を覆うように形成された保護層と、前記保護層を貫通し前記キャパシタ部のいずれかの電極層に接続する引き出し導体と、を有する薄膜キャパシタであって、前記引き出し導体は前記電極層に接触している側から順に少なくとも密着層と、下地導体層と、アンダーバンプメタル層と、からなり、前記密着層は前記下地導体層および前記アンダーバンプメタル層よりも薄く、前記下地導体層の外周端と前記アンダーバンプメタル層の外周端がずらされているとともに、前記密着層の外周端は前記下地導体層および前記アンダーバンプメタル層の外周端よりも外側まで延びて形成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と、
少なくとも2層の電極層と少なくとも1層の誘電体薄膜とを有してなり前記基板上に形成されたキャパシタ部と、
前記キャパシタ部を覆うように形成された保護層と、
前記保護層を貫通し前記キャパシタ部のいずれかの電極層に接続する引き出し導体と、を有する薄膜キャパシタであって、
前記引き出し導体は前記電極層に接触している側から順に少なくとも密着層と、下地導体層と、アンダーバンプメタル層と、からなり、
前記密着層は前記下地導体層および前記アンダーバンプメタル層よりも薄く、
前記下地導体層の外周端と前記アンダーバンプメタル層の外周端がずらされているとともに、前記密着層の外周端は前記下地導体層および前記アンダーバンプメタル層の外周端よりも外側まで延びて形成されていることを特徴とする薄膜キャパシタ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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