特許
J-GLOBAL ID：201503024780005490
MRAM用のMTJデバイスに遮蔽部を一体化させる方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
村山 靖彦
, 黒田 晋平
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-553664
特許番号：特許第5694571号
出願日： 2012年02月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 一体型遮蔽装置を利用することによって磁気トンネル接合(MTJ)デバイスを保護するための方法であって、
基板上に下部電極を形成するステップと、
前記下部電極上に1つまたは複数のピン層を形成するステップと、
前記1つまたは複数のピン層上にバリア層を形成するステップと、
前記バリア層上に1つまたは複数のフリー層を形成するステップと、
前記1つまたは複数のフリー層上に1つまたは複数のハードマスク層を形成するステップと、
前記1つまたは複数のフリー層の側部に絶縁層を形成するステップと、
前記1つまたは複数のフリー層の上部及び側部を囲むように、前記ハードマスク層及び前記絶縁層上に遮蔽層を形成するステップと、
前記遮蔽層上に上部電極を形成するステップと、
前記上部電極上に金属線接続部を形成するステップと、
を含む、方法。
IPC (4件)：
H01L 21/8246 ( 200 6.01)
, H01L 27/105 ( 200 6.01)
, H01L 43/08 ( 200 6.01)
, H01L 29/82 ( 200 6.01)
H01L 27/10 447
, H01L 43/08 Z
, H01L 29/82 Z
