特許
J-GLOBAL ID：201503024994678980
単量体、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
, 石川 武史
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-026798
公開番号（公開出願番号）：特開2013-163652
特許番号：特許第5644788号
出願日： 2012年02月10日
公開日（公表日）： 2013年08月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 下記一般式(1A)又は(1B)で示される単量体。
(式中、R1は水素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基を示す。R2はシクロペンチル基を示す。R3、R4はそれぞれ独立に炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状の1価の炭化水素基を示す。R5は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状の1価の炭化水素基を示す。X1、X2はそれぞれ独立に単結合又は炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状の2価の炭化水素基を示す。k1は1〜3の整数を示す。Z1は、これが結合する炭素原子と共に形成されるシクロペンチル基を示す。)
IPC (8件)：
C08F 20/10 ( 200 6.01)
, C08L 33/06 ( 200 6.01)
, C07C 69/54 ( 200 6.01)
, G03F 7/32 ( 200 6.01)
, G03F 7/038 ( 200 6.01)
, G03F 7/039 ( 200 6.01)
, C07C 69/533 ( 200 6.01)
, H01L 21/027 ( 200 6.01)
C08F 20/10
, C08L 33/06
, C07C 69/54 B
, G03F 7/32
, G03F 7/038 601
, G03F 7/039 601
, C07C 69/533
, H01L 21/30 502 R
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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