半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-122025
公開番号（公開出願番号）：特開2015-018594
出願日： 2014年06月13日
公開日（公表日）： 2015年01月29日
要約：

【課題】電源が遮断されてもデータが保持される半導体装置を提供する。【解決手段】第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、容量素子と、を有し、第1のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方は、第3のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方および容量素子の一方の電極と電気的に接続され、第2のトランジスタのゲート電極は第3のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方と電気的に接続された構成とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、容量素子と、を有し、前記第1のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方は、前記第3のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方および前記容量素子の一方の電極と電気的に接続され、前記第2のトランジスタのゲート電極は前記第3のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

G11C 11/405 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (5件)：

G11C11/34 352B , H01L29/78 618B , H01L29/78 618E , H01L29/78 618Z , H01L29/78 613B

Fターム (79件)：

5F110AA01 , 5F110AA06 , 5F110AA07 , 5F110AA08 , 5F110CC05 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110DD21 , 5F110DD24 , 5F110DD25 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE30 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG16 , 5F110GG17 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG58 , 5F110HJ30 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK17 , 5F110HM02 , 5F110HM17 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN28 , 5F110NN40 , 5F110NN72 , 5F110NN74 , 5F110NN77 , 5F110PP35 , 5F110QQ09 , 5F110QQ16 , 5F110QQ19 , 5M024AA94 , 5M024BB02 , 5M024CC02 , 5M024CC03 , 5M024CC04 , 5M024CC07 , 5M024HH01 , 5M024HH11 , 5M024PP01 , 5M024PP03 , 5M024PP05

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-177593 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-221776 出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (2件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-177593 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-221776 出願人：ソニー株式会社

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