特許
J-GLOBAL ID：201303053404205999

半導体装置

発明者：
米田 誠一

米田 誠一 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-177593
公開番号（公開出願番号）：特開2012-256818
出願日： 2011年08月15日
公開日（公表日）： 2012年12月27日
要約：
【課題】特定のトランジスタのゲートの電位に応じて記憶情報の判別が行われる半導体装置において、当該トランジスタのしきい値電圧のばらつきの低減と、長期間に渡る情報の保持とを両立することで情報の保持特性に優れる半導体装置を提供すること。【解決手段】チャネル領域が酸化物半導体によって形成されるトランジスタのソース又はドレインのみに電気的に接続されるノードにおいて電荷の保持(情報の記憶)を行う。なお、当該ノードにソース又はドレインが電気的に接続されるトランジスタは、複数であってもよい。また、当該酸化物半導体は、シリコンよりもバンドギャップが広く、真性キャリア密度がシリコンよりも低い。このような酸化物半導体によってトランジスタのチャネル領域が形成されることで、オフ電流(リーク電流)が極めて低いトランジスタを実現することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1のトランジスタと、 ソース及びドレインの一方が前記第1のトランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続された第2のトランジスタと、 ゲートが前記第2のトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続された第3のトランジスタと、 一方の電極が前記第1のトランジスタのソース及びドレインの一方並びに前記第2のトランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続された容量素子と、を有し、 前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタのチャネル領域が酸化物半導体によって形成されることを特徴とする半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 29/786 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 11/405
FI (6件)：
H01L27/10 321 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 613B ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371 ,  G11C11/34 352B
Fターム (95件)：
5F083AD02 ,  5F083AD14 ,  5F083AD69 ,  5F083EP02 ,  5F083EP22 ,  5F083EP30 ,  5F083ER01 ,  5F083GA06 ,  5F083HA02 ,  5F083JA19 ,  5F083JA39 ,  5F083JA58 ,  5F083JA60 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F101BA01 ,  5F101BB02 ,  5F101BC20 ,  5F101BD02 ,  5F101BD30 ,  5F101BE05 ,  5F101BH16 ,  5F110BB08 ,  5F110CC02 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE31 ,  5F110EE38 ,  5F110EE44 ,  5F110FF04 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG17 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110HK42 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL12 ,  5F110HL27 ,  5F110HM13 ,  5F110HM14 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN05 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN40 ,  5F110NN72 ,  5F110NN78 ,  5F110PP01 ,  5M024AA06 ,  5M024AA94 ,  5M024BB02 ,  5M024CC03 ,  5M024CC04 ,  5M024CC07 ,  5M024HH01 ,  5M024HH11 ,  5M024PP03 ,  5M024PP04 ,  5M024PP05 ,  5M024PP07 ,  5M024PP08 ,  5M024PP09
引用特許：
審査官引用 (7件)
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