特許

J-GLOBAL ID：201503027293655780

磁場発生装置

発明者： 濱田 衞 ,  前田 秀明 ,  柳澤 吉紀 ,  中込 秀樹
出願人/特許権者： ジャパンスーパーコンダクタテクノロジー株式会社 ,  独立行政法人理化学研究所 ,  国立大学法人 千葉大学
代理人 (3件)： 梶 良之 ,  須原 誠 ,  一角 哲也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-123623
公開番号（公開出願番号）：特開2014-240797
出願日： 2013年06月12日
公開日（公表日）： 2014年12月25日
要約：

【課題】磁場の均一度を高め、且つ、装置全体が大型化するのを抑制することが可能な磁場発生装置を提供する。【解決手段】ReBCO系超電導線材が巻回されてなるメインコイル2が発生させる磁場の均一度を補正する磁場を発生させる電流可変補正コイル4を、メインコイル2の内側に設ける。電流可変補正コイル4が発生させる磁場は、ReBCO系超電導線材の超電導層に流れる遮蔽電流の影響をほとんど受けない。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ReBCO系超電導線材が巻回されてなり、計測空間に磁場を発生させるメインコイルと、 前記メインコイルと同軸であって、前記メインコイルの内側に設けられ、前記メインコイルが発生させる磁場の均一度を補正する磁場を発生させる、電流値が可変な電流可変補正コイルと、 を有することを特徴とする磁場発生装置。

IPC (6件)：

G01R 33/381 ,  A61B 5/055 ,  G01R 33/387 ,  H01F 7/20 ,  H01F 5/00 ,  H01F 6/00

FI (8件)：

G01N24/06 510C ,  A61B5/05 331 ,  A61B5/05 332 ,  G01N24/06 520J ,  G01N24/06 510H ,  H01F7/20 C ,  H01F5/00 C ,  H01F7/22 C

Fターム (8件)：

4C096AB32 ,  4C096AB42 ,  4C096AD08 ,  4C096CA02 ,  4C096CA22 ,  4C096CA40 ,  4C096CA47 ,  4C096CA70

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 均一磁場発生装置およびそれを用いた核磁気共鳴装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-120237   出願人：株式会社日立製作所
• シムトレイ温度制御装置を備えた磁気共鳴イメージング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-316445   出願人：株式会社日立製作所
• 磁気共鳴結像装置に使用するための電磁石
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-307549   出願人：オックスフォードマグネットテクノロジーリミテッド
• 超電導電磁石装置の励磁方法およびそれに使用される超電導電磁石装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-113513   出願人：三菱電機株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

• 「高温超伝導材料を利用した次世代NMR技術の開発」
• 「REBCOコイルにおける遮蔽電流磁場のメカニズムと抑制方法」