特許
J-GLOBAL ID：201503028052784543
化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
, 石川 武史
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-004004
公開番号（公開出願番号）：特開2012-163950
特許番号：特許第5729313号
出願日： 2012年01月12日
公開日（公表日）： 2012年08月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 (A)有機溶剤、
(B)ベース樹脂、
(C)酸発生剤
を含有してなる化学増幅ポジ型レジスト材料において、
(B)成分のベース樹脂が、下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する、重量平均分子量1,000〜500,000である高分子材料と、下記一般式(2)で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量10,000〜500,000のポリビニルエーテル共重合体高分子材料とを含有してなることを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。
(式中、R1は水素原子、ヒドロキシ基、直鎖状アルキル基、分岐状アルキル基、ハロゲン原子、又はトリフルオロメチル基を表し、R2は水素原子、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、又はトリフルオロメチル基を表し、R3は炭素数4〜12の三級アルキル基を表し、R4は水素原子、置換可アルキル基、置換可アルコキシ基、又はジトリフルオロメチルヒドロキシ基を表し、R5は水素原子又はメチル基を表し、R6は水素原子、メチル基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、ハロゲン原子、又はトリフルオロメチル基を表し、R7は炭素数4〜30のアルキル基を表す。また、nは0又は1〜4の正の整数であり、mは0又は1〜5の正の整数である。また、p、r、sは0又は正数であり、qは正数である。)
(式中、R8は水素原子、又は炭素数1〜12の直鎖状又は分岐状アルキル基を表し、R9は水素原子又はメチル基を表し、R10は水素原子又は下記一般式(3)
(式中、R12は水素原子又はメチル基を表す。)
で表される有機基であり、R11は上記一般式(3)で表される有機基、ニトリル基、又はハロゲン原子を表す。t+u=1であって、0≦u≦0.5を表す。)
IPC (4件)：
G03F 7/039 ( 200 6.01)
, G03F 7/004 ( 200 6.01)
, H01L 21/027 ( 200 6.01)
, C08F 212/14 ( 200 6.01)
G03F 7/039 601
, G03F 7/004 501
, H01L 21/30 502 R
, C08F 212/14
