特許
J-GLOBAL ID:201503028355682123
太陽電池および太陽電池の製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
好宮 幹夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-260049
公開番号(公開出願番号):特開2015-118979
出願日: 2013年12月17日
公開日(公表日): 2015年06月25日
要約:
【課題】コンタクト抵抗を低減して光電変換効率を高めた太陽電池を提供することを目的とする。また、マスク工程の少ない太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】第一の導電型の半導体基板の第一主表面上に、前記第一の導電型と同じ導電型の第一導電型層及び前記第一の導電型と反対の導電型の第二導電型層を有する太陽電池であって、前記第一導電型層の表面及び前記半導体基板の第二主表面上に凹凸を有するものであることを特徴とする太陽電池。【選択図】図1
請求項(抜粋):
第一の導電型の半導体基板の第一主表面上に、前記第一の導電型と同じ導電型の第一導電型層及び前記第一の導電型と反対の導電型の第二導電型層を有する太陽電池であって、
前記第一導電型層の表面及び前記半導体基板の第二主表面上に凹凸を有するものであることを特徴とする太陽電池。
IPC (5件):
H01L 31/04
, H01L 21/28
, H01L 21/22
, H01L 21/225
, H01L 21/223
FI (6件):
H01L31/04 H
, H01L21/28 A
, H01L21/28 301R
, H01L21/22 T
, H01L21/225 R
, H01L21/223
Fターム (29件):
4M104AA01
, 4M104AA08
, 4M104BB08
, 4M104CC01
, 4M104DD07
, 4M104DD16
, 4M104DD24
, 4M104DD26
, 4M104DD34
, 4M104DD37
, 4M104DD51
, 4M104DD52
, 4M104DD53
, 4M104DD78
, 4M104GG05
, 4M104HH15
, 5F151AA02
, 5F151CB12
, 5F151CB20
, 5F151CB27
, 5F151CB30
, 5F151DA03
, 5F151DA10
, 5F151FA06
, 5F151FA10
, 5F151FA15
, 5F151GA04
, 5F151GA15
, 5F151HA01
引用特許:
出願人引用 (3件)
審査官引用 (2件)
-
光電変換素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願2012-050244
出願人:シャープ株式会社
-
太陽電池の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2012-045607
出願人:三菱電機株式会社
前のページに戻る