特許
J-GLOBAL ID：201503029978885129

検出装置の製造方法、その検出装置及び検出システム

発明者：
藤吉 健太郎

藤吉 健太郎 について

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渡辺 実

渡辺 実 について

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横山 啓吾

横山 啓吾 について

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大藤 将人

大藤 将人 について

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川鍋 潤

川鍋 潤 について

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和山 弘

和山 弘 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (2件)： 阿部 琢磨 ,  黒岩 創吾
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-220385
公開番号（公開出願番号）：特開2014-075377
特許番号：特許第5709810号
出願日： 2012年10月02日
公開日（公表日）： 2014年04月24日
請求項（抜粋）：
【請求項1】基板の上に複数の画素が配置された画素アレイ領域と、前記画素アレイ領域の外側に配置された画素アレイ外領域と、を有し、前記複数の画素の各々が、スイッチ素子と電気的に接続された電極と、前記電極の上に配置された不純物半導体層と、前記不純物半導体層の上に配置された半導体層と、を含む変換素子を有し、前記スイッチ素子を覆うように形成された有機材料からなる層間絶縁層を有する検出装置の製造方法であって、 前記層間絶縁層の表面のうち前記画素アレイ領域の上に複数の前記電極を形成し、且つ、前記層間絶縁層の表面のうち前記画素アレイ外領域の上に無機材料からなる被覆層を形成する第1工程と、 前記第1工程の後に前記不純物半導体層を前記電極の上に形成する第2工程と、 を有することを特徴とする検出装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 27/146 ( 200 6.01) ,  H01L 27/144 ( 200 6.01) ,  H01L 31/08 ( 200 6.01) ,  H04N 5/32 ( 200 6.01)
FI (4件)：
H01L 27/14 C ,  H01L 27/14 K ,  H01L 31/00 A ,  H04N 5/32
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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