電力用半導体装置およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山田卓二 , 田中光雄 , 竹内三喜夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-250011
公開番号（公開出願番号）：特開2015-109294
出願日： 2013年12月03日
公開日（公表日）： 2015年06月11日
要約：

【課題】放熱性に優れ、短絡耐量の高い電力用半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】電力用半導体装置100は、リードフレーム1と、リードフレーム1の上にはんだ2を用いて接合された電力用半導体素子3とを備える。リードフレーム1の表面であって、平面視で電力用半導体素子3の面内には、枠状の堤防部材4などによって画定され、はんだ2で充填された凹状領域が設けられている。電力用半導体装置100は、凹状領域に溶融はんだを供給する工程と、リードフレーム1の上に、凹状領域を覆うように電力用半導体素子3を搭載する工程とにより製造される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

リードフレームと、前記リードフレームの上にはんだを用いて接合された電力用半導体素子とを備え、前記リードフレームの表面であって、平面視で前記電力用半導体素子の面内には、はんだで充填された凹状領域が設けられたことを特徴とする、電力用半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/52 , H01L 23/48

FI (2件)：

H01L21/52 B , H01L23/48 G

Fターム (5件)：

5F047AA11 , 5F047AB02 , 5F047BA05 , 5F047BA06 , 5F047BB16

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-194670 出願人：ローム株式会社
特開昭60-105241
特開平1-270236

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