特許

J-GLOBAL ID：201503030526490044

SiC半導体素子およびその製造方法

発明者： 畑山 智亮 ,  纐纈 英典 ,  戸所 義博
出願人/特許権者： 国立大学法人 奈良先端科学技術大学院大学
代理人 (1件)： 特許業務法人グローバル知財
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2012005363
公開番号（公開出願番号）：WO2013-031172
出願日： 2012年08月27日
公開日（公表日）： 2013年03月07日
要約：

キャリア移動度の高い{03-38}面などの特異な結晶面をトレンチ側壁に簡便に形成する技術、ならびに、チャネル部分に相当するトレンチ側壁の殆どが{03-38}面などで形成されるSiC半導体素子を提供する。SiCの(0001)面またはオフ角8°以下の(0001)面のオフ面に形成されるトレンチ構造を備え、トレンチ構造にチャネル部分があり、チャネル部分の面積90%以上が、{03-38}面または{03-38}面を<1-100>方向に-8°〜8°の間の角度でオフさせた面である。具体的には、SiCの(0001)面のトレンチに対して、熱処理(熱エッチング処理)を施すことにより、トレンチ側壁を{03-38}面に加工する。熱エッチング処理は、窒素ガスなどの不活性ガスもしくは水素ガスをキャリアガスとし、塩素雰囲気中で、800°C以上でエッチングを行う。

請求項（抜粋）：

六方晶,立方晶,菱面体晶のいずれかの結晶構造を成すSiCの基底面から形成されたトレンチ側壁、或いは、基底面のオフ角8°以下のオフ面から形成されたトレンチ側壁であって、 前記トレンチ側壁は面積50%以上が基底面から54〜55°傾斜した面であり、 前記トレンチ側壁の面をチャネル部分として用いたことを特徴とするSiC半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 29/12 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L29/78 652T ,  H01L29/78 658G ,  H01L29/78 652F ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 653A