特許
J-GLOBAL ID：201503031951946201
半導体層の製造方法、光電変換装置の製造方法および半導体原料
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-522763
特許番号：特許第5687343号
出願日： 2012年06月18日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 金属元素および加熱によって酸素を発生する物質を含む皮膜を形成する工程と、
該皮膜を加熱して前記物質から酸素を発生させる工程と、
前記金属元素とカルコゲン元素とを反応させることによって、前記皮膜から金属カルコゲナイドを含む半導体層を形成する工程とを具備し、
前記酸素を発生する物質としてアルカリ金属元素を含むものを用いることを特徴とする半導体層の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/368 ( 200 6.01)
, H01L 31/18 ( 200 6.01)
H01L 21/368 Z
, H01L 31/04 422
