半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：片寄恭三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-137997
公開番号（公開出願番号）：特開2015-011748
出願日： 2013年07月01日
公開日（公表日）： 2015年01月19日
要約：

【課題】メモリセルの絶縁膜の劣化を抑制した新規なプログラム方法を提供する。【解決手段】本発明のフラッシュメモリのプログラム方法は、プログラムされるプログラムセルを含むストリングをビット線BLから電気的に隔離し、プログラムされない非プログラムセルを含むストリングをビット線BLに電気的に結合し、選択されたワード線にプログラム電圧を印加し、かつ非選択されたワード線にパス電圧を印加する。そして、プログラム電圧を印加している間に、Pウエル200内に電子を発生させ、空乏領域210によって電界加速されたホットエレクトロンをメモリセルに注入する。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1の半導体領域内に複数のNAND型のストリングが形成されたメモリアレイを含むフラッシュメモリのプログラム方法であって、プログラムされるプログラムセルを含むストリングをビット線から電気的に隔離し、プログラムされない非プログラムセルを含むストリングをビット線に電気的に結合し、選択されたワード線にプログラム電圧を印加し、かつ非選択されたワード線にパス電圧を印加し、プログラム電圧を印加している間に、前記第1の半導体領域内にキャリアを発生させ、前記プログラムセルにホットエレクトロンを注入することを可能にする、プログラム方法。

IPC (7件)：

G11C 16/02 , G11C 16/04 , H01L 21/824 , H01L 27/115 , H01L 21/336 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4件)：

G11C17/00 611G , G11C17/00 622E , H01L27/10 434 , H01L29/78 371

Fターム (34件)：

5B125BA02 , 5B125CA27 , 5B125DB01 , 5B125EA05 , 5B125EB02 , 5B125FA01 , 5B125FA02 , 5F083EP02 , 5F083EP23 , 5F083EP33 , 5F083EP34 , 5F083EP76 , 5F083ER02 , 5F083ER03 , 5F083ER05 , 5F083ER09 , 5F083ER10 , 5F083ER14 , 5F083ER19 , 5F083ER23 , 5F083ER29 , 5F083GA21 , 5F083LA25 , 5F101BA01 , 5F101BB05 , 5F101BC07 , 5F101BD02 , 5F101BD22 , 5F101BD34 , 5F101BD36 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BE07 , 5F101BF03

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平2-001986
特開平2-007295
不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-207768 出願人：株式会社東芝

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引用文献：

審査官引用 (2件)

電子材料シリーズ VLSIの物理, 19860725, p.83-88,182-184
フラッシュメモリ技術ハンドブック, 19930815, 第1版第1刷, p.174-175

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