特許
J-GLOBAL ID：201503032546389709

クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム

発明者：
野田 孝暁

野田 孝暁 について

, 
野原 慎吾

野原 慎吾 について

, 
▲ひろせ▼ 義朗

▲ひろせ▼ 義朗 について


出願人/特許権者：
株式会社日立国際電気

株式会社日立国際電気 について


代理人 (3件)： 福岡 昌浩 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-137518
公開番号（公開出願番号）：特開2015-012198
出願日： 2013年06月28日
公開日（公表日）： 2015年01月19日
要約：
【課題】処理室内に堆積した堆積物をより確実に除去する。【解決手段】 処理室内で基板上に炭素含有膜を形成する処理を行った後の処理室内をクリーニングする方法であって、処理室内へ改質ガスを供給して処理室内の部材の表面に堆積した炭素含有膜を含む堆積物を改質する工程と、処理室内へエッチングガスを供給して改質された堆積物を熱化学反応により除去する工程と、を含むサイクルを所定回数行う工程を有する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
処理室内で基板上に炭素含有膜を形成する処理を行った後の前記処理室内をクリーニングする方法であって、 前記処理室内へ改質ガスを供給して前処理室内の部材の表面に堆積した前記炭素含有膜を含む堆積物を改質する工程と、 前記処理室内へエッチングガスを供給して前記改質された堆積物を熱化学反応により除去する工程と、 を含むサイクルを所定回数行う工程を有するクリーニング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  C23C 16/44
FI (4件)：
H01L21/31 B ,  H01L21/316 X ,  H01L21/316 P ,  C23C16/44 J
Fターム (51件)：
4K030AA01 ,  4K030AA04 ,  4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA06 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030HA01 ,  4K030KA04 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AB32 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AD04 ,  5F045AD05 ,  5F045AE15 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045BB08 ,  5F045BB15 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ05 ,  5F045EB06 ,  5F045EF03 ,  5F045EF09 ,  5F045EF13 ,  5F045EH12 ,  5F045EH18 ,  5F045EK06 ,  5F045HA03 ,  5F045HA13 ,  5F045HA17 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC04 ,  5F058BF04 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF36 ,  5F058BH16
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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