特許
J-GLOBAL ID：201203030866909390

薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、及び、薄膜形成装置

発明者：
久保 万身

久保 万身 について

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遠藤 篤史

遠藤 篤史 について

, 
水永 覚

水永 覚 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 木村 満
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-121821
公開番号（公開出願番号）：特開2012-039084
出願日： 2011年05月31日
公開日（公表日）： 2012年02月23日
要約：
【課題】メンテナンス作業の労力を低減するとともに、ダウンタイムを短くすることができる薄膜形成装置の洗浄方法等を提供する。【解決手段】薄膜形成装置1の洗浄方法は、加熱工程と洗浄工程とを備えている。加熱工程では、反応管2内と排気管16内との少なくとも一方を所定の温度に加熱する。洗浄工程では、加熱された反応室2内と排気管16内との少なくとも一方に、酸素ガスと水素ガスとを含むクリーニングガスを供給してクリーニングガスを所定の温度に加熱することにより、クリーニングガスに含まれる酸素ガス及び水素ガスを活性化させる。そして、活性化した酸素ガス及び水素ガスにより、薄膜形成装置1の内部に付着した付着物を除去する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
薄膜形成装置の反応室内に成膜用ガスを供給して被処理体にアモルファスカーボン膜を形成した後、装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置の洗浄方法であって、 前記反応室内と、該反応室に接続された排気管内と、の少なくとも一方を所定の温度に加熱する加熱工程と、 前記加熱工程で加熱された反応室内と排気管内との少なくとも一方に、酸素ガスと水素ガスとを含むクリーニングガスを供給してクリーニングガスを所定の温度に加熱することにより、クリーニングガスに含まれる酸素ガス及び水素ガスを活性化させ、該活性化した酸素ガス及び水素ガスにより装置内部に付着した付着物を除去する除去工程と、 を備える、ことを特徴とする薄膜形成装置の洗浄方法。
IPC (1件)：
H01L 21/31
FI (1件)：
H01L21/31 B
Fターム (10件)：
5F045AA03 ,  5F045AA06 ,  5F045AB07 ,  5F045AB31 ,  5F045AC07 ,  5F045BB08 ,  5F045DP19 ,  5F045EB06 ,  5F045EC09 ,  5F045EK06
引用特許：
審査官引用 (3件)

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