特許
J-GLOBAL ID:201503033991279499

先進のパターニングのためのソフトランディング・ナノラミネート

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2014-226067
公開番号(公開出願番号):特開2015-111668
出願日: 2014年11月06日
公開日(公表日): 2015年06月18日
要約:
【課題】マルチプルパターニング集積方式において使用する高品質共形膜の成長を可能にする、半導体基板を処理する方法を提供する。【解決手段】プラズマをベースにした原子層成長技術を使用して、低い高周波数無線周波(HFRF)プラズマ電力によって薄い酸化シリコン又は酸化チタンの膜を成長させることと、それに続いて、高いHFRFプラズマ電力によって共形酸化チタン膜又はスペーサを成長させることとを伴う。【選択図】図19
請求項(抜粋):
半導体基板を処理する方法であって、 前記基板の上にナノラミネート層を成長させることと、 前記ナノラミネート層の上に酸化チタン層を成長させることであって、前記ナノラミネート層は、約15Åから約200Åの厚さと、前記酸化チタン層の密度よりも低い密度を有する、ことと、 を備える方法。
IPC (1件):
H01L 21/306
FI (1件):
H01L21/302 105A
Fターム (8件):
5F004AA09 ,  5F004BD01 ,  5F004BD04 ,  5F004DB03 ,  5F004DB13 ,  5F004EA05 ,  5F004EA06 ,  5F004EA12
引用特許:
審査官引用 (5件)
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