基板処理装置および半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：中島淳 , 加藤和詳 , 福田浩志 , 宮本治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-240067
公開番号（公開出願番号）：特開2012-094652
出願日： 2010年10月26日
公開日（公表日）： 2012年05月17日
要約：

【課題】プラズマを利用して基板を処理する際に基板等へのダメージを小さくし、しかも基板処理温度を低くする。【解決手段】基板200を処理する処理室201と、ガス供給口425、435を有する複数のバッファ室423、433と、第1の処理ガスを複数のバッファ室に供給する第1の処理ガス供給系320、330と、高周波電源270と、電源により高周波電力が印加されると、バッファ室の内部で第1の処理ガスを活性化させるプラズマ発生用電極471、472、481、482と、第2の処理ガスを処理室に供給する第2の処理ガス供給系310と、処理室を排気する排気系231と、基板を、活性化された第1の処理ガスおよび、第2の処理ガスに曝し、基板を200°C以下に加熱しつつ基板上に膜を形成するよう第1の処理ガス供給系、電源、第2の処理ガス供給系および排気系を制御する制御手段280と、を備える。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板を処理する処理室と、前記処理室と区画され、前記処理室へ開口するガス供給口をそれぞれ有する複数のバッファ室と、第1の処理ガスを前記複数のバッファ室にそれぞれ供給可能な第1の処理ガス供給系と、高周波電力を出力する電源と、前記電源により高周波電力が印加されることによって、前記バッファ室の内部で前記第1の処理ガスを活性化させるプラズマ発生用の電極と、第2の処理ガスを前記処理室に供給する第2の処理ガス供給系と、前記処理室を排気する排気系と、基板を、前記活性化された第1の処理ガスおよび、前記第2の処理ガスに曝し、前記基板を200°C以下に加熱しつつ前記基板上に膜を形成するよう前記第1の処理ガス供給系、前記電源、前記第2の処理ガス供給系および前記排気系を制御する制御手段と、を備える基板処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/31 , H01L 21/316 , H01L 21/318 , C23C 16/50 , C23C 16/455

FI (5件)：

H01L21/31 C , H01L21/316 X , H01L21/318 B , C23C16/50 , C23C16/455

Fターム (47件)：

4K030AA06 , 4K030AA14 , 4K030BA44 , 4K030BB05 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA03 , 4K030EA06 , 4K030FA03 , 4K030FA10 , 4K030GA07 , 4K030HA01 , 4K030JA10 , 4K030KA04 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 5F045AA08 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AC05 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AD04 , 5F045AD05 , 5F045BB07 , 5F045DP19 , 5F045EE19 , 5F045EF03 , 5F045EF07 , 5F045EF09 , 5F045EH12 , 5F045EH18 , 5F058BA20 , 5F058BB10 , 5F058BC02 , 5F058BC08 , 5F058BD04 , 5F058BD10 , 5F058BF07 , 5F058BF22 , 5F058BF24 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BF37 , 5F058BJ10

引用特許：

審査官引用 (2件)

基板処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-061138 出願人：東京エレクトロン株式会社
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-243104 出願人：東京エレクトロン株式会社

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