高耐圧半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：酒井昭徳
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-533703
特許番号：特許第5720792号
出願日： 2012年09月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1導電型の半導体基板上に設けられた第2導電型の半導体領域と、前記半導体領域の表面層に設けられた論理回路と、前記半導体領域の外周側に設けられた第2導電型のソース領域、前記半導体領域上に絶縁膜を介して設けられたゲート電極、および、前記半導体領域の外周端から所定距離離して前記半導体領域の表面層に設けられた第2導電型のドレイン領域を有する絶縁ゲート型電界効果トランジスタと、前記半導体領域の外周端から前記所定距離離して前記半導体領域の表面層に、前記ドレイン領域と離して設けられた第2導電型ピックアップ領域と、前記ドレイン領域から、前記半導体領域の、前記ドレイン領域と前記第2導電型ピックアップ領域とに挟まれた部分を介して前記第2導電型ピックアップ領域の前記ドレイン領域側の一部にわたる部分までの領域と、前記論理回路と、の間に、前記ドレイン領域、前記第2導電型ピックアップ領域および前記論理回路から離れて設けられ、前記半導体領域の表面から前記半導体基板に達する第1導電型の開口部と、を備え、前記半導体領域の、前記ドレイン領域と前記第2導電型ピックアップ領域とに挟まれた部分からなる負荷抵抗と、を備えることを特徴とする高耐圧半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/8234 ( 200 6.01) , H01L 27/088 ( 200 6.01) , H01L 27/06 ( 200 6.01) , H01L 21/822 ( 200 6.01) , H01L 27/04 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 27/08 102 A , H01L 27/06 102 A , H01L 27/04 A

引用特許：

出願人引用 (4件)

高耐圧IC
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-045261 出願人：富士電機株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-251946 出願人：富士電機システムズ株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-321391 出願人：三菱電機株式会社

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