特許
J-GLOBAL ID：201503041167136460
半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
福岡 昌浩
, 阿仁屋 節雄
, 油井 透
, 清野 仁
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-517959
特許番号：特許第5686487号
出願日： 2012年05月17日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 処理室内に収容され、第1の温度に加熱された基板に対して、シリコンを含む原料ガスを供給することで、前記基板上にシリコン含有層を形成する工程と、
前記処理室内に残留する前記原料ガスを前記処理室内から排除する工程と、
前記第1の温度以上の第2の温度に加熱された大気圧未満の圧力雰囲気下にある反応予備室内で、酸素含有ガスと水素含有ガスとをノンプラズマの雰囲気下で反応させて酸素を含む反応種を生成し、その反応種を、大気圧未満の圧力雰囲気下にある前記処理室内の前記第1の温度に加熱された前記基板に対して供給することで、前記基板上に形成された前記シリコン含有層を酸化してシリコン酸化層に変化させる工程と、
前記処理室内に残留する前記反応種、前記酸素含有ガス、前記水素含有ガスを前記処理室内から排除する工程と、
をこの順に行うサイクルを複数回繰り返すことで、前記基板上に所定膜厚のシリコン酸化膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/316 ( 200 6.01)
, H01L 21/31 ( 200 6.01)
, C23C 16/455 ( 200 6.01)
, C23C 16/42 ( 200 6.01)
H01L 21/316 X
, H01L 21/31 B
, C23C 16/455
, C23C 16/42
