特許
J-GLOBAL ID：201503041180335359
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 昭徳
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-500822
特許番号：特許第5725255号
出願日： 2012年02月23日
請求項（抜粋）：
【請求項1】アルゴンを主成分として含むガス雰囲気中で、1290°C以上、シリコンの融点未満の温度で熱処理を、チョクラルスキー法で作製された単結晶シリコンインゴットを原料としてフローティング法で作製されたシリコンウエハに行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (7件)：
C30B 29/06 ( 200 6.01)
, H01L 21/324 ( 200 6.01)
, H01L 21/76 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 29/739 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, C30B 33/02 ( 200 6.01)
C30B 29/06 B
, H01L 21/324 X
, H01L 29/78 652 R
, H01L 29/78 655 F
, H01L 29/78 658 A
, C30B 33/02
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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