特許
J-GLOBAL ID：201003070574489932
シリコンウェハ、半導体装置、シリコンウェハの製造方法および半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-161736
公開番号（公開出願番号）：特開2010-003899
出願日： 2008年06月20日
公開日（公表日）： 2010年01月07日
要約：
【課題】ウェハの割れ、欠けやチッピングを低減し、かつデバイスの良品率を向上した半導体装置及びその製造方法の提供。【解決手段】FZウェハまたはCZウェハ等のウェハに熱酸化処理を行いウェハの全面に熱酸化膜を形成する。ついで、素子構造が形成されるウェハのおもて面側の上に形成された熱酸化膜を除去し、開口部を形成する。ついで、非酸化性雰囲気内において、高温で長時間の熱処理を行い、熱酸化膜からウェハへの酸素原子の内方拡散を行う。ウェハがCZウェハの場合、ウェハから雰囲気内への酸素原子の外方拡散も行う。このように、ウェハの中央部のおもて面側が低酸素濃度シリコン層2であり、バルク領域、中央部の裏面側および外周端部が高酸素濃度シリコン層3である、シリコンウェハ1が形成され、熱酸化膜を除去した後に、シリコンウェハ1の中央部のおもて面におもて面素子構造を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
シリコンウェハの中央部のおもて面側に設けられた低酸素濃度層と、
前記シリコンウェハの中央部の裏面側、バルク領域および外周端部に設けられ、前記低酸素濃度層より酸素濃度が高い高酸素濃度層と、
を備えることを特徴とするシリコンウェハ。
IPC (3件)：
H01L 21/322
, H01L 21/336
, H01L 29/78
H01L21/322 Y
, H01L29/78 658Z
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (6件)
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