特許
J-GLOBAL ID:201503049816651680

フェーズドアレーアンテナ装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 田澤 英昭 ,  濱田 初音 ,  久米 輝代 ,  河村 秀央
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-240867
公開番号(公開出願番号):特開2015-103842
出願日: 2013年11月21日
公開日(公表日): 2015年06月04日
要約:
【課題】ビーム走査時における放射特性の劣化を抑えることができる小形で低コストなフェーズドアレーアンテナ装置を得ることを目的とする。【解決手段】絶縁膜4の上に複数の放射素子11が複数の半導体チップ2と同じ間隔で配列されており、絶縁膜4において、再配線パターン5a,5bが形成されている層より上の層に、複数の放射素子11が配列されている領域を包含する大きさの領域内に地導体パターン7が連続的に形成されているように構成する。これにより、隣接する放射素子11の間で励振位相に差をつけてビーム走査を行う場合でも、放射特性の劣化を抑えることができる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
周期的な間隔で配列されている複数の半導体チップの間に樹脂材料が充填されている再構築ウェハと、 前記再構築ウェハの上に形成されている複数の層からなる絶縁膜と、 前記絶縁膜の上に周期的な間隔で配列されている複数の放射素子とを備え、 前記絶縁膜には、前記半導体チップと接続される導体配線が形成されているとともに、前記導体配線が形成されている層より上の層に、前記複数の放射素子が配列されている領域を包含する大きさの領域内に第1の地導体が連続的に形成されており、 前記導体配線を通る信号を前記複数の放射素子に結合する結合手段が前記第1の地導体に形成されていることを特徴とするフェーズドアレーアンテナ装置。
IPC (2件):
H01Q 23/00 ,  H01Q 3/26
FI (2件):
H01Q23/00 ,  H01Q3/26 Z
Fターム (3件):
5J021AA06 ,  5J021HA04 ,  5J021JA07
引用特許:
審査官引用 (1件)

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