特許

J-GLOBAL ID：201503050676606645

圧力センサ及びマイクロフォン

発明者： 福澤 英明 ,  江波戸 明彦 ,  西村 修 ,  原 通子 ,  湯浅 裕美 ,  藤 慶彦 ,  紀伊 雅之 ,  藤澤 栄蔵
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-245558
公開番号（公開出願番号）：特開2015-064375
出願日： 2014年12月04日
公開日（公表日）： 2015年04月09日
要約：

【課題】高感度の圧力センサ及びマイクロフォンを提供する。【解決手段】実施形態によれば、基体と、基体の上に設けられたセンサ部と、を備えた圧力センサが提供される。センサ部は、トランスデュース薄膜と、第1、第2歪検知素子と、を含む。トランスデュース薄膜は、膜面を有し可撓性である。第1歪検知素子は、膜面上において膜面の重心とは異なる位置に設けられる。第1歪検知素子は、第1、第2磁性層と、それらの間に設けられた非磁性の第1中間層と、を含む。第2歪検知素子は、膜面上において第1歪検知素子と離間し重心とは異なる位置に設けられる。第2歪検知素子は、第3第4磁性層と、それらの間に設けられた非磁性の第2中間層と、を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基体と、 前記基体の上に設けられた第1センサ部と、 処理回路と、 を備え、 前記第1センサ部は、 第1膜面を有する可撓性の第1トランスデュース薄膜と、 前記第1膜面上において前記第1膜面の重心とは異なる位置に設けられ、第1磁性層と、第2磁性層と、前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に設けられた非磁性の第1中間層と、を含む第1歪検知素子と、 前記第1膜面上において前記第1歪検知素子と離間し前記重心とは異なる位置に設けられ、第3磁性層と、第4磁性層と、前記第3磁性層と前記第4磁性層との間に設けられた非磁性の第2中間層と、を含む第2歪検知素子と、 を含み、 前記第3磁性層の磁化方向は、前記第1磁性層の磁化方向及び前記第2磁性層の磁化方向の一方に沿い、 前記第4磁性層の磁化方向は、前記第1磁性層の前記磁化方向及び前記第2磁性層の前記磁化方向の他方に沿い、 前記第2歪検知素子は、前記第1歪検知素子と前記第1膜面の縁部に沿って並び、 前記第1歪検知素子と前記重心とを結ぶ直線は、前記第2歪検知素子と前記重心とを結ぶ直線に対して傾斜し、 前記処理回路は、前記第1歪検知素子から得られる第1信号と、前記第2歪検知素子から得られる第2信号と、を加重加算する圧力センサ。

IPC (1件)：

G01L 9/16

FI (1件)：

G01L9/16

Fターム (8件)：

2F055AA40 ,  2F055BB03 ,  2F055CC02 ,  2F055DD01 ,  2F055DD05 ,  2F055EE29 ,  2F055FF11 ,  2F055GG16

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特許第5701807号
  
• MEMSトランスデューサおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-341440   出願人：ヤマハ株式会社
• 特開昭60-253830
  
• シリコンマイクロフォン
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-044589   出願人：ヤマハ株式会社