特許

J-GLOBAL ID：200903053517780636

MEMSトランスデューサおよびその製造方法

発明者： 大村 昌良 ,  鈴木 民人
出願人/特許権者： ヤマハ株式会社
代理人 (2件)： 吉田 大 ,  岩上 渉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-341440
公開番号（公開出願番号）：特開2009-164851
出願日： 2007年12月28日
公開日（公表日）： 2009年07月23日
要約：

【課題】MEMSトランスデューサの機械的な機能を阻害することなくMEMSトランスデューサの電極を保護することを目的とする。【解決手段】導電性を有するダイヤフラムと、導電性を有するプレートと、前記ダイヤフラムと前記プレートとの間に空隙層を挟んで前記ダイヤフラムと前記プレートとを支持し、前記空隙層を囲む内壁を備える支持部と、前記支持部に形成されているコンタクトホールを覆う導電性の電極膜と、前記内壁より外側において前記支持部の上に形成され前記電極膜の側面を覆う保護膜と、を備え、前記ダイヤフラムと前記プレートとで形成される静電容量に対応する電気信号が前記電極膜を通じて出力される、MEMSトランスデューサ。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

導電性を有するダイヤフラムと、 導電性を有するプレートと、 前記ダイヤフラムと前記プレートとの間に空隙層を挟んで前記ダイヤフラムと前記プレートとを支持し、前記空隙層を囲む内壁を備える支持部と、 前記支持部に形成されているコンタクトホールを覆う導電性の電極膜と、 前記内壁より外側において前記支持部の上に形成され前記電極膜の側面を覆う保護膜と、 を備え、 前記ダイヤフラムと前記プレートとで形成される静電容量に対応する電気信号が前記電極膜を通じて出力される、 MEMSトランスデューサ。

IPC (6件)：

H04R 19/04 ,  H04R 31/00 ,  H01L 29/84 ,  B81B 3/00 ,  B81C 1/00 ,  G01L 1/14

FI (6件)：

H04R19/04 ,  H04R31/00 C ,  H01L29/84 Z ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01L1/14 K

Fターム (34件)：

3C081AA01 ,  3C081BA30 ,  3C081BA44 ,  3C081BA45 ,  3C081BA48 ,  3C081CA02 ,  3C081CA14 ,  3C081CA28 ,  3C081CA29 ,  3C081DA22 ,  3C081DA26 ,  3C081DA27 ,  3C081DA30 ,  3C081EA21 ,  4M112AA06 ,  4M112BA07 ,  4M112CA01 ,  4M112CA03 ,  4M112CA04 ,  4M112CA11 ,  4M112CA13 ,  4M112CA14 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA06 ,  4M112EA03 ,  4M112EA04 ,  4M112EA06 ,  4M112EA07 ,  4M112EA11 ,  4M112EA18 ,  4M112FA20 ,  5D021CC07 ,  5D021CC20

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 改良された低周波応答性を備えた音響トランスデューサ
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平8-507292   出願人：ザチャールズスタークドレイパーラボラトリーインク
• 米国特許第4776019号
  
• 小型ブロードバンド変換器
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-519372   出願人：ノールズエレクトロニクス,リミテッドライアビリティカンパニー