特許
J-GLOBAL ID：201503058167774041
電気高純度スズ又はスズ合金メッキ浴及び当該メッキ浴で形成した突起電極
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
豊永 博隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-168532
公開番号（公開出願番号）：特開2015-036449
出願日： 2013年08月14日
公開日（公表日）： 2015年02月23日
要約：
【課題】 スズ又は特定のスズ合金メッキで突起電極を形成する際に、ボイドの発生を抑制する。【解決手段】 (A)純度99.99%以上の高純度スズの可溶性塩と、当該第一スズ塩及び銀、銅から選ばれた金属の塩の混合物とのいずれかよりなる可溶性塩と、(B)チアアルカン型、又はオキシアルキレン型の特定の脂肪族スルフィド化合物とを含有する電気高純度スズ又はスズ合金メッキ浴である。特定のスルフィド化合物を添加し、高純度スズの第一スズ塩を用いるため、突起電極を構成するスズ系皮膜中のβ-スズのうち、{431}面群、{411}面群などの特定の結晶面群の配向性指数が所定以上に大きくなり、当該結晶面群が素地表面に平行になるため、β-スズの結晶粒界に空隙の少ない皮膜を形成することができ、ボイドの発生を抑制するものと推定される。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
(A)第一スズ塩と、第一スズ塩及び銀、銅から選ばれた金属の塩の混合物とのいずれかよりなる可溶性塩と、
(B)脂肪族スルフィド化合物とを含有する電気スズ又はスズ合金メッキ浴において、
上記(A)の可溶性第一スズ塩は純度99.99%以上の高純度スズの可溶性塩であり、
上記(B)のスルフィド化合物は、次の式(1)、式(2)から選ばれた脂肪族スルフィド化合物の少なくとも一種である
X-R1-S-(CH2CH2S)m-R2-X ...(1)
(式(1)中、R1,R2はC2〜C4アルキレンである;XはOH、SO3H、SO3M(Mはアルカリ金属、アンモニア又はアミン)である;mは1〜2の整数である。)
H-(OA)n-S-(OA)n-H ...(2)
(式(2)中、Aはエチレン又はプロピレン、但し、エチレンのモル数/プロピレンのモル数≧1である;nは5〜25の整数である。)
ことを特徴とする電気高純度スズ又はスズ合金メッキ浴。
IPC (5件)：
C25D 3/32
, C25D 3/60
, C25D 3/56
, C25D 7/12
, H05K 3/34
C25D3/32
, C25D3/60
, C25D3/56 E
, C25D7/12
, H05K3/34 505A
4K023AA17
, 4K023AB34
, 4K023BA29
, 4K023CB08
, 4K024AA07
, 4K024AA16
, 4K024AA21
, 4K024BB11
, 4K024BB12
, 4K024DB02
, 4K024GA16
, 5E319BB01
, 5E319CC33
, 5E319CD26
, 5E319GG20
審査官引用 (2件)
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"Microstructure-Based Stress Modeling of Tin Whisker Growth"
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"Microstructure-Based Stress Modeling of Tin Whisker Growth"
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