特許

J-GLOBAL ID：201503066722352290

単結晶シリコン引上装置

発明者： 簗場 三千雄
出願人/特許権者： 三菱マテリアルテクノ株式会社
代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  増井 裕士 ,  細川 文広
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-260070
公開番号（公開出願番号）：特開2015-117145
出願日： 2013年12月17日
公開日（公表日）： 2015年06月25日
要約：

【課題】太陽電池等に用いる単結晶シリコンを引き上げて生産する際に、単結晶シリコンがくねって変形を抑制しつつ高速度で引き上げられ、生産性を向上することが可能な単結晶シリコン引上装置を提供する。【解決手段】チャンバ10と、石英ルツボ15と、前記石英ルツボ15を軸線O周りに回転するルツボ駆動機構20と、前記石英ルツボ12に貯留したシリコン融液Mに対して、シードSを垂下、浸漬して引き上げるとともに、前記シードSを軸線O周りに回転するシード回転機構35と、チャンバ10内を冷却する冷却パイプ42と、制御部50とを備え、前記冷却パイプ42は、トップチャンバ12の下方において、単結晶シリコンTに対して間隔をあけて冷却水が周方向に流通可能に形成された環状部を備えており、前記チャンバ10は、チャンバ上部内面に、輻射率ε≧0.50の黒色化部分が形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

チャンバと、 石英ルツボと、 前記石英ルツボを軸線周りに回転するルツボ駆動手段と、 前記石英ルツボに貯留したシリコン融液に対して、シードを垂下、浸漬して引き上げるとともに、前記シードを軸線周りに回転するシード駆動手段と、 チャンバ内を冷却する冷却パイプと、 制御部と、を備え、 前記冷却パイプは、 前記チャンバの上部に設けられ、前記チャンバ上部の下方において、前記シード駆動手段により引き上げられている単結晶シリコンの回転軸線の周囲に、間隔をあけて冷却水が周方向に流通可能に形成された環状部を備えていて、前記単結晶シリコンを周囲から冷却するように構成されていることを特徴とする単結晶シリコン引上装置。

IPC (2件)：

C30B 29/06 ,  C30B 15/00

FI (2件)：

C30B29/06 502E ,  C30B15/00 Z

Fターム (8件)：

4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EG20 ,  4G077EG25 ,  4G077HA12 ,  4G077PA10 ,  4G077PA16

引用特許：

審査官引用 (4件)

• CZ法単結晶引上げ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-054893   出願人：コマツ電子金属株式会社, 株式会社小松製作所
• シリコン単結晶製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-261981   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平3-197390
  
• 特開平3-197390